财联社4月9日电，媒体引述瑞银报告指出，AI驱动的HBM需求持续蚕食DDR产能，叠加传统服务器换机周期与存储SSD需求的同步爆发，全球DRAM市场的供需缺口将延续至2027年第四季度，是近三十年来未曾出现过的存储超级周期。瑞银称，SK海力士在HBM领域占据领导地位，在估值方法上，采用12个月远期市净率倍数对SK海力士进行估值，基于其32.1%的长期ROE预测和11.2%的权益成本，得出2.86倍的目标市净率，目标价从155万韩元上调至170万韩元，同步大幅上调SK海力士2026及27年每股盈测分别22%和29%。该行对其2026年经营利润预测高达286万亿韩元(约1,931.15亿美元)，较市场预期大幅高出约57%。在收入端，瑞银预测SK海力士2026年总营收为355.1万亿韩元(超市场预期41%)，2027年预测为531.6万亿韩元(超市场预期65%)。经营利润方面，该行预测SK海力士2026年为286万亿韩元(超市场预期57%)，2027年为443.5万亿韩元(超市场预期88%)。

《科创板日报》9日讯，SK海力士正在加快提升其10纳米第六代（1c）DRAM的竞争力，用于该工艺的极紫外（EUV）设备投资也比原计划增加了约三倍。业内人士透露，SK海力士正集中精力推进1c DRAM技术的发展，以应用于第七代高带宽内存（HBM）HBM4E核心芯片，并计划于今年交付样品。由于HBM的最大客户英伟达计划于明年下半年推出搭载HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必须加快研发步伐。业内人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已升至80%。该公司计划今年将其超过一半的DRAM产能转换为1c工艺产品，预计到年底将确保约19万片的产能。

《科创板日报》7日讯，三星电子已为平泽半导体生产基地P5晶圆厂集群的首个阶段PH1订购了70余台光刻机，为该阶段2027年的投运做好准备。平泽P5 PH1所需的这些光刻机来自ASML和佳能，其中约20台为ASML的EUV曝光系统。P5 PH1将用于1c nm制程DRAM生产，将同时制造通用内存和HBM。

①三星电子预计其第一季度营利将创历史新高，较去年同期增长逾八倍，营收预计同比增长68%，达到133万亿韩元；
②三星电子已与主要客户完成第二季度DRAM价格谈判并签署供货合同，价格较第一季度再上涨约30%。

《科创板日报》1日讯，被称为“HBM之父”的韩国科学技术院电气与电子工程学院教授金正浩表示，AI芯片格局即将发生根本性变化，当前由英伟达主导、以GPU为核心的体系，最终转变为受内存主导的架构。尽管现阶段计算架构仍以GPU和CPU为核心，但未来的系统将围绕超大容量内存（如HBM与HBF）构建，处理器则更像是嵌入其中的组件。

《科创板日报》31日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查，2026年第二季因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用，并采用“补涨”策略拉近各类产品价差，尽管终端市场面临出货下修风险，预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价格仍将季增58-63%。NAND Flash市场持续由AI、数据中心需求主导，全产品线连锁涨价的效应不减，预计第二季整体合约价格将季增70-75%。

《科创板日报》27日讯，由于英伟达、博通和AMD等客户的需求，三星电子今年的HBM出货量预计将超过100亿Gb。三星电子存储器开发执行副总裁黄相俊表示：“正在快速扩大HBM的产能。我们计划今年将其提高到去年水平的三倍以上。”

财联社3月26日电，SEMICON China 2026国际半导体展3月25日在上海正式拉开帷幕。SEMI中国总裁冯莉在致辞时表示，在AI算力以及全球数字化经济驱动下，全球半导体产业迎来了历史性时刻，原定于2030年才会达到的万亿美元芯时代有望于2026年底提前到来。她指出2026年半导体产业的三大趋势。

第一个趋势：AI算力。2026年全球AI基础设施支出将达到4500亿美元，其中推理算力占比首次超过70%，由此拉动GPU、HBM及高速网络芯片的强劲需求，而这最终都转化为对晶圆厂和先进封装以及设备和材料的强劲需求。

第二个趋势：存储革命。存储是AI基础设施核心战略资源，全球存储产值将首次超越晶圆代工，成为半导体第一增长极。2026年HBM市场规模增长58%至546亿美元，占DRAM市场近四成，需求的徒增，导致供需失衡，尽管三星、SK海力士、美光三大原厂已将70%的新增/可调配产能倾斜至HBM，但HBM产能缺口达50%—60%。

第三个趋势：技术驱动产业升级。随着2nm及以下制程逼近物理极限，遭遇量子隧穿与栅极控制难题，GAA架构边际效益递减；一座2nm晶圆厂建设成本超250亿美元，逼近7nm时代的3倍。先进封装的战略位置凸显，“先进制程+先进封装”的双轮驱动，从系统层面推动产业升级。

财联社3月26日电，财联社记者获悉，中科曙光在2026中关村论坛年会上发布超节点新品“曙光scaleX40”。据悉，该产品为世界首个无线缆箱式超节点，采用标准19英寸箱式设计，兼容主流机柜；单机16U，部署密度是8卡机的2.5倍；最高支持40张GPU卡，FP8算力大于28PFLOPS，HBM总显存大于5TB、访存总带宽大于80TB/S，scale-up聚合带宽大于17TB/S。同时，曙光scaleX40内置软件栈，兼容CUDA，适配优化800+大模型。（财联社记者 付静）

财联社3月19日电，美东时间周三盘后，美光科技首席执行官桑杰・梅赫罗特拉在财报电话会上表示，当前存储芯片行业处于供应短缺状态，且这种状况将持续至2026年以后，这为短期和中期的产品定价提供了坚实支撑。为解决供需之间的巨大缺口，美光科技正积极推进全球产能布局，预计2027财年，公司资本支出将大幅增加，主要用于高带宽存储器（HBM）和 DRAM 相关投资。

财联社3月18日电，腾讯高管18日晚回应存储芯片涨价问题时表示，人工智能需求激增不仅带动DRAM及高带宽内存（HBM）需求回升，乃至CPU、固态硬盘、机械硬盘等需求全面回升。目前订单已需提前几个月、几个季度甚至数年预定。供应商优先保障规模最大、合作最稳定的客户，比如腾讯云。规模较小的云厂商如今已难以确保获得稳定的供应链支持。腾讯高管表示，在此背景下行业或别无选择，只能将成本上涨转嫁至售价。过去24小时内，已目睹多家中国云厂商在多方面的价格上调。

①三星半导体业务执行副总裁韩进万表示，明年市场对LPU的需求有望实现进一步增长；
②三星电子已确认正在开发HBM5，其底层芯片或采用2纳米工艺；
③自本周以来，三星电子已累计涨超11%，该公司市值已突破1370万亿韩元。

《科创板日报》18日讯，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

财联社3月17日电，当地时间周二（3月17日），韩国SK集团董事长崔泰源在英伟达GTC大会上表示，由于芯片生产存在系统性瓶颈，他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到2030年。与此同时，他预计DRAM、NAND和HBM等各类存储芯片的价格将持续上涨，涨势可能会持续较长时间。

①韩国SK集团董事长崔泰源预测全球内存芯片短缺将持续到2030年，因芯片生产存在系统性瓶颈，且市场对人工智能需求增加；
②崔泰源预计DRAM、NAND和HBM芯片价格将持续上涨，SK海力士正考虑在美上市发行ADR以扩大投资者群体。

财联社3月17日电，AI带动存储市场规模不断扩大，其已成为半导体产业最大的组成部分，且依然供不应求。多位业内人士表示，现货市场，有些存储产品目前价格较2月已经涨价近20%；合约市场，在三星、SK海力士带动下，全球存储二季度涨价已经确立，全年HBM（高带宽内存）产能缺口预计达50%至60%，涨价依然是主旋律。