财联社7月6日电，野村证券分析师在最新报告中表示，市场对于“算力过剩”的担忧可能过度了，存储芯片行业距离下行周期还有很长的路要走。市场实际上目前正面临由人工智能需求引发的严重短缺，由于各大芯片厂厂商优先生产利润更为丰厚的高带宽内存（HBM），导致普通DRAM和NAND的供应受限。野村分析师强调，在这样背景下，对于供应过剩的担忧实属过度。由于半导体产业建设和开发周期往往需要很长时间，韩国芯片巨头宣布的项目在数年内可能都不会对供应产生实质性影响。

财联社7月5日电，野村证券在最新发布的报告中认为，当前全球存储行业的核心矛盾仍是供应严重短缺，AI驱动的结构性需求增长尚未见顶。近期投资者对供应过剩的担忧情有可原，但明显过度，市场的过激反应或为存储板块提供了重新审视估值的窗口。野村证券在报告中直言，市场的担忧被严重夸大，半导体投资转化为实际产能的周期极其漫长，韩国高达4800万亿韩元的投资计划至少需要5到10年才能转化为实际产能，且高利润HBM（高带宽存储）对通用存储产能的挤压正导致市场面临严重的供应短缺。野村证券强调，Meta的决定绝不是AI相关硬件需求减少的拐点。相反，由于当前算力供应短缺导致单Token价格呈现上涨趋势，Meta算力的入市有望促使Token价格向下企稳。

财联社7月5日电，美光科技当地时间周六（7月4日）正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。这项总投资达1.5万亿日元（约合93亿美元）的项目，旨在生产包括高带宽存储器（HBM）在内的先进存储芯片，以满足人工智能（AI）浪潮带来的旺盛需求。HBM是英伟达AI处理器的关键组件，工厂预计将于2028年夏季左右开始出货。近期，美光、三星电子和SK海力士各自都宣布了扩充制造能力的计划。本周早些时候，SK海力士宣布，计划投资80万亿韩元（约合514.6亿美元），在韩国忠清北道首府清州市新建一座NAND存储芯片工厂。

财联社7月1日电，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于6月30日在DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛，而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段，70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时，他在同一场合透露，下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。

《科创板日报》30日讯，SK海力士正在与半导体设备厂商讨清州P&T7工厂所需的半导体检测设备供应事宜。各设备公司正在口头协调明年可交付的设备数量。设备行业预计，该工厂将订购约200台设备，其中包括HBM4测试仪。按每台15亿至20亿韩元的价格计算，总价最高可达4000亿韩元。

财联社6月29日电，随着全球内存短缺危机加剧，美国当地消费者和小型企业已采取法律行动。据悉，全球最大的三家内存供应商——三星、SK海力士和美光已因涉嫌操纵内存价格并限制全球供应而遭到集体诉讼。诉讼于6月25日在在美国加利福尼亚州联邦法院提起。诉状指出，这三家公司几乎控制着全球DRAM(动态随机存取存储器)市场的全部供应，却在价格大幅上涨期间限制传统DRAM产品供应，进一步加剧了当前的内存短缺危机。

财联社6月29日电，美银在最新研报中表示，美光强劲的业绩和指引进一步印证全球存储芯片行业正处于超级周期，供需紧张和高端产品升级有望使高景气至少延续至2027年。基于美光财报，美银将2026年至2028年全球DRAM和NAND市场规模预测分别上调2%至4%。该行预计，2026年DRAM销售额同比增长316%，NAND增长295%；2027年仍将分别增长43%和29%。

美银认为，随着HBM等高端产品占比持续提升，以及长期协议逐渐成为主流，存储厂商未来有望在避免激烈价格竞争的同时，维持较高盈利能力，行业商业模式也将进一步向稳定、高利润方向转变。

财联社6月26日电，美光科技公布业绩后，25-26日，华尔街机构密集上调目标价。财联社统计显示，截至6月26日，已有至少14家机构调高美光目标价，最新目标价区间为1200美元至2000美元，平均约1574美元。其中，D.A. Davidson、Susquehanna给予2000美元目标价。机构普遍认为，AI带动HBM和DRAM需求持续增长，存储行业供需紧张格局有望延续，美光未来盈利仍具上行空间。

《科创板日报》24日讯，SK海力士正加大力度开拓通用DRAM市场，同时放缓第六代高带宽内存（HBM4）的量产步伐。该公司表示，由于HBM已占其营收的40%以上，并占据绝对优势，因此正在重新分配资源，以确保从供应严重短缺的通用DRAM市场获得更多营收，而不是盲目地进行产能扩张。

①三星电子管理层表示，目前已准备好的HBM4产能已被全部预订一空；
②近期以来，三星电子不断收到来自基于ASIC的超大规模数据中心客户的HBM供应合作请求；
③KB证券分析师表示：“三星电子已获得了多元客户资源，包括博通、谷歌、亚马逊、微软、Meta等ASIC厂商。”

财联社6月23日电，据韩国芯片行业23日消息，三星电子第六代高带宽内存（HBM4）销售额突破10亿美元大关。三星电子今年2月12日全球率先实现HBM4量产出货，仅4个多月就取得上述成果。预计截至6月底三星电子HBM4销售额有望突破12亿美元。

《科创板日报》22日讯，三星电子平泽P5 Fab 2工地近日已新部署了多台打桩机。行业人士表示，施工设备陆续进场，意味着P5 Fab 2的实质性施工即将开始，下个月左右破土动工的可能性很大。随着AI基础设施投资浪潮带动存储芯片订单激增，三星已将资本投资的时间表较原计划提前了约六个月。P5 Fab 2是三星电子平泽园区内将建设的第六座工厂，也是平泽园区的最后一条半导体生产线。基于300mm晶圆计算，预计其月产能可达20万至30万片，目标是在2029年实现首次投产。该厂将涵盖从HBM到下一代DRAM、NAND闪存和先进制程代工（合同制造）产线在内的全部产品。

财联社6月18日电，午后HBM概念异动拉升，太极实业涨停续创历史新高，此前中天精装3连板，华海诚科涨超10%，兴森科技、德邦科技、壹石通等跟涨。消息面上，SK海力士表示，已向主要客户交付了用于人工智能(AI)的下一代HBM4E DRAM样品。该公司在一份声明中表示，将与合作伙伴紧密合作以及时实现量产。

①SK海力士公司于周四宣布，已向主要客户交付了新一代AI用DRAM——HBM4E的12层堆叠样品。此举有助于巩固该公司在快速发展的AI芯片市场中的龙头地位；
③HBM4E在性能和功耗效率方面均有显著提升，每引脚最大数据处理速度达16Gbps，能效较前代型号提升超过20%。

财联社6月18日电，SK海力士的股价在韩国交易所一度上涨5.6%，创盘中纪录新高，此前这家芯片制造商表示已向主要客户交付了用于人工智能(AI)的下一代HBM4E DRAM样品。该公司在一份声明中表示，将与合作伙伴紧密合作以及时实现量产。

财联社6月18日电，SK海力士18日宣布，公司已向主要客户供应12层HBM4E样品，该产品是面向人工智能（AI）的下一代超高性能DRAM。其引脚速率最高可达16Gbps，并将能效提高20%以上，提升了AI训练和推理所必需的数据处理能力。

《科创板日报》17日讯，三星电子正携手多家合作伙伴，加紧研发用于量产第七代10纳米级（1d）DRAM的设备。业内人士透露，虽然时间表可能会有所调整 ，但量产设备拟于明年第二季度或第三季度导入。考虑到实际量产准备所需的时间，预计三星电子最早也要到明年年底才能开始1D DRAM的初步量产。1d DRAM的电路线宽为10至11纳米。目前商用的最新一代产品是第六代1c DRAM，其线宽约为11至12纳米。线宽越窄，DRAM的性能和能效越好。知情人士表示，三星电子的1d DRAM预计被用于第九代高带宽内存（HBM5E）的核心芯片，该产品拟于2029年实现商业化。

《科创板日报》16日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于存储器大厂的产能规划持续倾向HBM、高层数3D NAND等高附加价值产品，挤压NOR Flash、SLC NAND依赖的成熟制程产能，然而因需求稳定，已推动2026上半年NOR Flash、SLC NAND累积合约价涨幅分别突破100%。由于供应商未有大规模扩产计划，预估下半年两项产品的价格将随供需紧张而继续调升。

《科创板日报》15日讯，据业内人士透露，SK海力士目前正筹备向主要客户送样HBM4E，首批样品最快将于本月出货，最迟不超过下个月。业内分析指出，鉴于HBM4E计划于明年正式量产，今年下半年必须完成客户的测试验证与优化流程，因此目前的送样节点已十分紧迫。