《科创板日报》11日讯，美国芯片公司Marvell宣布推出一种新的定制HBM计算架构，使XPU能够实现更高的计算和内存密度，提高其定制XPU的性能、效率和TCO。Marvell正与云客户和领先的HBM制造商美光、三星电子和SK海力士合作，为下一代XPU定义和开发定制HBM解决方案。
《科创板日报》6日讯，据传，英伟达下一代Rubin架构将提前六个月上市，Rubin产品线最初计划于2026年推出，现已提前至2025年中期。Rubin预计将采用台积电的3nm工艺，以及HBM4内存芯片。
《科创板日报》6日讯，博通宣布推出行业首个3.5D F2F封装技术，技术名为3.5D XDSiP，可在单一封装中集成超过6000平方毫米的硅芯片和多达12个HBM内存堆栈，可满足大型AI芯片对高性能低功耗的需求。博通目前正在采用该技术开发五款产品，预计将于2026年2月开始生产。
财联社11月29日电，美国彭博社28日引述知情人士消息称，拜登政府正考虑进一步限制向中国出售半导体设备和人工智能内存芯片，但不会采取此前提出的一些更严厉措施。这些限制措施最早可能会在下周公布。美国《连线》杂志27日称，拜登政府预计在下周一宣布最新措施。据彭博社报道，知情人士表示，新规的具体内容和发布时间已经过多次调整，在发布之前可能都会发生变化。最新提案与早期有几个关键不同点，首先就是美国将会把哪些中国公司拉入贸易限制清单。美国此前曾考虑制裁中国科技巨头华为至少6家供应商，但目前计划仅将部分供应商列入清单。报道特别提到，尝试开发AI内存芯片技术的长鑫存储并不在清单之内。最新版本的管制措施可能还将包括对高带宽内存（HBM）芯片的控制等内容。
《科创板日报》26日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第三季DRAM（内存）产业营收为260.2亿美元，季增13.6%。受到大陆手机制造商去化库存及部分DRAM供应商扩产影响，尽管前三大DRAM原厂LPDDR4及DDR4出货量下降，但供应数据中心的DDR5及HBM（高带宽内存）需求上升。平均销售单价部分，三大原厂延续前一季的上涨趋势，加上HBM持续挤压整体DRAM产能，合约价于第三季达成8%至13%的涨幅。 展望2024年第四季，TrendForce集邦咨询预估整体原厂位元出货量将较前一季增加，价格则因HBM挤压产能效应可能较预期弱，加上部分供应商扩产将驱动PC OEM和手机业者积极去化库存，以取得较低价DRAM产品，预期一般型DRAM (Conventional DRAM)合约价、一般型DRAM与HBM合并合约价都将下跌。
《科创板日报》21日讯，由于HBM产品中封装重要性不断加强，三星电子正在扩大对国内和海外生产基地的投资，以加强其半导体先进封装业务。据悉，日前三星签署了第三季度销售和采购半导体设备的合同，以扩大其中国苏州工厂的生产设施，该合同价值约200亿韩元。苏州工厂是目前三星电子唯一的海外测试和封装生产基地。另外，三星近期也与韩国忠清南道和天安市签署了投资协议，以扩大半导体封装工艺设施。
《科创板日报》20日讯，据报道，SK海力士和三星近期接获特斯拉的HBM4供应要求，正在研发样品，不过相较微软、Meta、谷歌等主要采购定制化芯片，特斯拉将采购通用HBM4，用于强化超级电脑Dojo性能，预期将比较样品性能后决定主要供应商。
《科创板日报》14日讯，SK海力士近日在SK AI峰会2024上公布了其正在开发的HBM3e 16hi内存，每个立方体的容量为48 GB，样品定于2025年上半年推出。TrendForce最新发现显示，该产品内存面向包括CSP定制ASIC和通用GPU在内的应用，其有望在HBM4代推出之前突破内存容量限制。
《科创板日报》13日讯，三星电子计划在现有韩国忠清南道天安市封装设施的基础上在该市境内兴建服务于HBM内存等生产的半导体封装工厂。三星电子将以租赁的形式获得三星显示一幢大楼的使用权，并在三年内为该建筑导入生产HBM等所需的半导体后端加工设备。
《科创板日报》12日讯，消息称三星电子正为微软和Meta量身打造第六代定制化高带宽存储器（HBM）HBM4。业界预期从HBM4开始，除了存储器功能外，HBM还需具备能够执行客户需求的各种运算。
①SK海力士董事长崔泰源表示，英伟达CEO黄仁勋要求将下一代高带宽内存芯片HBM4供货时间提前六个月，以解决供应瓶颈问题； ②SK海力士计划2025年初推出16层HBM3E芯片； ③HBM产能已成为人工智能芯片供应瓶颈，SK海力士产能到20z25年已基本“售罄”。
《科创板日报》30日讯，HBM产品已成为DRAM产业关注焦点，这使得Hybrid Bonding (混合键合)等先进封装技术发展备受瞩目。根据TrendForce集邦咨询最新研究，三大HBM原厂正在考虑是否于HBM4 16hi采用Hybrid Bonding，并已确定将在HBM5 20hi世代中使用这项技术。
《科创板日报》29日讯，模组厂预期，第四季度仅eSSD与HBM产品出货量和价格增加，其他存储产品如DRAM及NAND将停滞不前。这是由于消费性产品如手机及PC将与需求持平，仅服务器相关需求持续走强。
《科创板日报》29日讯，随着支持DDR5的Intel EMR和AMD Bergamo处理器平台渗透率的增加，DDR5在服务器上的应用需求在今年迎来快速的增长。但因原厂DRAM产出受到HBM大规模量产的挤出效应，此前服务器DDR5产品供应相对紧张，导致服务器DDR5产品价格在今年以来大幅上涨。而通用型服务器需求的降温，以及产业链各环节较高的库存，尽管原厂已经在削减服务器DDR4产出，服务器DDR4在短期来看依然供过于求。根据CFM闪存市场数据显示，截至9月底，DDR5 64GB与DDR4 64GB价差近70%。DDR5与DDR4巨大价差以及高资本投入下对投入产出比的权衡已经影响部分客户推动DDR5渗透的动力。
《科创板日报》28日讯，存储器业内人士表示，在规格升级带动下，HBM价格2025年势必将向上扬升。服务器存储器如DDR5等，在近一年多来已持续拉抬价格，但相较于HBM价差仍有3~4倍以上，预估DDR5涨势也将能延续至2025年。不过服务器客户的采购动能趋缓，库存逐渐垫高，加上DDR5供给逐渐改善，第四季涨幅将转为平缓。
