①SK海力士公布第三季度业绩,其中HBM销售同比增超330%; ②美银预计,SK海力士今明两年的HBM销售额将达92亿和158亿美元; ③券商观点,建议关注AI投资主线下算力、存储和先进封装相关的新材料。
①最新财报显示,SK海力士第三季度销售额和利润均创下历史新高; ②SK海力士将第三季度业绩表现归功于高带宽存储产品和嵌入式固态硬盘等人工智能存储芯片的强劲需求。
《科创板日报》23日讯,针对12层HBM3E产品的量产计划,SK海力士CEO郭鲁正表示,虽然无法透露具体客户,但出货、供应时间等,都将按照原计划进行。
《科创板日报》22日讯,三星电子计划在今年年底前建成第一条1c DRAM(第六代10纳米级DRAM)量产线,三星电子决定使用1c DRAM作为第六代HBM和HBM4的核心芯片,并计划于明年底发布。
《科创板日报》17日讯,消息人士透露,SK海力士正在削减其商业性较低的图像传感器和代工业务,加强专注于高利润的高带宽存储器(HBM)和AI存储器。SK海力士正在削减其CMOS图像传感器(CIS)研发投入,产能预计较去年减少一半以上,至每月不足7000片12英寸晶圆。此外,负责设计存储控制器等的片上系统(SoC)设计部门的人员也被转移并重新分配到HBM部门。
《科创板日报》16日讯,韩国多位业内人士透露,三星HBM3E接受英伟达验证超过1年,原本最迟应在2024年第3季度通过验证,但截至目前为止仍未通过验证。三星HBM3E在2024年底前通过英伟达验证的可能性不大,展望2025年之后,HBM4将成为市场主流,三星很可能跳过HBM3E,专注于HBM4供应。
《科创板日报》16日讯,据业界消息,三星电子的HBM商业化迟缓或与HBM核心芯片DRAM有关,1a DRAM的性能阻碍了三星电子向英伟达提供HBM3E量产供应。据知情人士透露,三星正在内部讨论重新设计部分1a DRAM电路的计划,但尚未做出最终决定,因为这一决定需要承受各种风险,如果重新设计,预计至少需要六个月才能完成产品,直到明年第二季度才能实现量产。
财联社10月14日电,韩国科学技术信息通信部14日发布的一项数据显示,今年9月韩国信息通信技术(ICT)出口额同比增长36.3%,为223.6亿美元,连续11个月保持增势,创下历年单月第二高纪录。按领域看,得益于人工智能(AI)技术潮推高服务器投资,半导体出口额为136.3亿美元,创历史新高。其中,存储半导体出口额同比大增60.7%,为87.2亿美元;系统半导体增长5.2%,为43.7亿美元。据科技部分析,市场对高带宽内存(HBM)等高附加值产品的需求增加,推动存储半导体出口大增,为半导体出口额创新高作出贡献。
《科创板日报》10日讯,三星电子因向大客户英伟达供应HBM3E内存出现延迟,将2025年底的HBM产能预估下调至每月17万片晶圆。
《科创板日报》9日讯,TrendForce集邦咨询预估,第四季存储器均价涨幅将大幅缩减,其中,一般型DRAM涨幅为0%至5%之间,但由于HBM比重逐渐提高,DRAM整体平均价格估计上涨8%至13%,较前一季涨幅明显收敛。
《科创板日报》9日讯,大摩半导体产业分析师詹家鸿指出,三星预计在2026年将其HBM4基底技术外包给台积电,并采用12nm/6nm制程。 台积电面临强劲需求的情况下,正积极进行产能扩张,预计在2025年将资本支出增加至380亿美元。
①本周四,全球芯片股迎来一片狂欢。美光科技公司发布了亮丽财报之后,SK海力士、东京电子也传出利好消息,推动美国、日韩和欧洲市场的芯片股价普遍上涨; ②与接连不断的好消息形成鲜明对比的,是半个月前,摩根士丹利才刚刚发布的一篇名为《凛冬将至》的看衰报告。
财联社9月11日电,据《韩国先驱报》11日报道,美国商务部负责工业和安全事务的副部长埃斯特维兹当地时间10日在美国华盛顿特区举行的“2024年韩美经济安全会议”上,呼吁韩国芯片制造商向韩国盟国而不是中国等国供应HBM芯片。埃斯特维兹还重申美国会推动对量子计算和全环绕栅极(GAA)尖端芯片制造工艺等关键技术的出口管制,并敦促韩国也加入其中。中方此前多次就美国对华芯片出口管制表明立场,坚决反对美方胁迫其他国家搞对华出口限制。
《科创板日报》9日讯,美光表示,目前正在将可供制造的(production-capable)12层第五代HBM(HBM3E)送交给AI产业链重要合作伙伴,以进行验证程序。
《科创板日报》4日讯,SK海力士社长金柱善(Kim Ju Seon)今日表示,预计本月底将开始量产12层HBM3E,并将与台积电合作生产HBM4。
《科创板日报》4日讯,SK海力士正在将利川厂的M10F产线转向生产HBM,计划明年四季度实现量产。投产后,SK海力士的HBM产能可达每月15万片。设备供应商已收到相关设备的采购订单。
《科创板日报》4日讯,TrendForce集邦咨询表示,三星电子的HBM3E内存产品已完成验证,并开始正式出货HBM3E 8Hi,主要用于H200,同时Blackwell系列的验证工作也在稳步推进。
《科创板日报》3日讯,为了应对大芯片趋势及AI负载对更多HBM的需求,台积电计划将InFO-SoW与SoIC结合,形成CoW-SoW,将存储器或逻辑芯片堆叠在晶圆上,并预计在2027年开始量产。
《科创板日报》29日讯,TrendForce最新报告显示,2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash(闪存)零售渠道的出货量已大幅年减40%,下滑明显超出市场预期,这预示着下半年的需求不会大幅回温。TrendForce表示,从2025年的情况来看,虽然预期DRAM价格会逐季上扬,但原因是HBM3e渗透率持续提升拉高均价,以及供给端缺乏新产能而有所限制。如果消费性需求持续疲软,DRAM价格上涨的幅度将低于预期。