《科创板日报》27日讯，三星电子、SK海力士正与高通积极合作，共同推进高带宽计算（HBC）芯片的商业化。当地时间8月26日，高通公司执行副总裁杜尔加·马拉迪（Durga Malladi）在“德意志银行2026科技大会”上透露：“在最近的投资者日活动上，我介绍了HBC的优势以及HBM的不足之处后，立即前往韩国，与两家主要的内存制造商进行了会面。”目前，三星电子、SK海力士正在同步推进HBC的研发，主要负责DRAM芯片的堆叠，并计划与台积电合作，整合各项技术和封装工艺。

①在HBC制造中，高通负责制造DRAM芯片下方的计算芯片，并提供TSV设计。
②三星电子和SK海力士负责DRAM芯片的堆叠，计划与台积电合作，整合各项技术和封装工艺。
③海通国际证券认为，HBC契合当前推理算力需求快速增长、HBM供应紧张及客户关注单位token成本下降的大趋势。

财联社8月27日电，美东时间周三盘后，全球AI芯片龙头英伟达公布了强劲的2027财年第二季度财报并举行财报电话会议。财报会重点内容如下：

①当前无约束真实市场需求可达100%增速，全年增长受限唯一因素是供应链产能不足，而非下游需求疲软。
②服务器CPU业务迎来爆发拐点，预计2028财年营收实现翻倍以上增长，正式切入全球高端CPU赛道，打开全新增长空间。
③形成全栈AI工厂体系，从Blackwell迭代至Vera Rubin，单吉瓦算力对应的市场空间从180亿美元升至400亿美元，单位算力价值持续跃升。
④伴随产品涨价落地与新一代高毛利产品放量，2028财年毛利率将修复至72%-73%，盈利韧性依旧强劲。
⑤AI已抵达产业拐点，彻底告别概念阶段。当前AI生成的Token具备实际生产力与商业盈利性，算力直接等价于收入，行业逻辑从“技术迭代”转向“商业变现”。
⑥AI算力供给短缺格局至少延续至2028财年末，晶圆产能、HBM存储、机房电力均处于全面紧缺状态，行业不存在产能过剩风险。
⑦扩大与亚马逊的合作。在现有庞大英伟达算力部署基础之上，AWS（亚马逊云科技）从本季度直至2029财年第二季度，将额外部署200万颗GPU。
⑧存储芯片价格行情远超此前预期，明年还会继续走高。英伟达和三大存储厂商保持深度长期合作，共同扩产匹配产品路线图需求。

财联社8月27日电，英伟达周三盘后在财报电话会上表示，受全球存储芯片（DRAM/HBM）持续超预期涨价影响，公司毛利率将短期承压。2027财年Q3毛利率预计74%，Q4回落至71%-72%触底；伴随产品涨价落地与新一代高毛利产品放量，2028财年毛利率将修复至72%-73%，盈利韧性依旧强劲。管理层强调，存储涨价是AI算力需求爆发的配套产物，成本上行的同时对应行业整体景气度抬升，属于良性行业通胀。

财联社8月27日电，英伟达周三盘后在财报电话会上表示，AI算力供给短缺格局至少延续至2028财年末，晶圆产能、HBM存储、机房电力均处于全面紧缺状态，行业不存在产能过剩风险。需求端呈现双线高增：传统超大规模云厂商在手订单超2万亿美元，持续加码算力采购；非云市场（主权AI、区域NeoCloud、企业AI、科创AI）同比增速超100%，已占据公司半壁江山，成为全新增长极。

《科创板日报》26日讯，三星电子与SK海力士计划在今年下半年增加对英伟达的8层HBM4内存供应量，这一安排主要受英伟达供应策略影响，目的是保障各类型HBM内存的供应稳定，同时兼顾产品发热量。据了解，8层内存极有可能成为下一代HBM4E的旗舰产品。

财联社8月24日电，美光HBM设计架构研究员Sreeramaneni最新警告，“内存墙”依然存在，且情况还在恶化。他表示，AI加速器计算性能每两年增长3倍，同期HBM发展速度还不足每两年2倍，这可能将加剧内存的短缺。他强调，打破计算和存储之间界限的新设计将是突破这一瓶颈的途径之一。

《科创板日报》24日讯，SK海力士正在为其下一代HBM解决方案引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术，并计划最终迈入3D封装时代。在2026年的Hot Chips大会上，SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee发表了题为“高带宽内存的先进封装”的报告，详细阐述了公司将如何利用先进封装技术加速其HBM产品路线图，目前SK海力士正在探索混合键合（Hybrid Bonding）等方法，以突破16层堆叠的限制，未来，SK海力士还计划通过增加TSV数量、提高逻辑工艺集成的IO速度，以及优化电源分配网络（PDN）来解决功耗挑战。

财联社8月19日电，根据摩根士丹利的最新预测，2026年第三季度，DDR4等成熟DRAM的价格将上涨50%，第四季度将再涨10%。摩根士丹利表示，成熟的DRAM和NAND芯片的供应紧张局面，即将进一步恶化。而造成这一局面的主要原因在于供应端的产能转移，存储器制造商正持续将产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND闪存。大摩还强调，SLC NAND闪存的价格涨幅可能将更加激进，该机构预计该品类在今年剩余的两个季度中每个季度都将上涨50%。

财联社8月14日电，SK海力士董事长崔泰源在公司韩国总部接受了媒体专访。他表示，产能扩张可能需要四到五年时间，并将各家公司对存储芯片的争夺形容为"如同一场战争"。如果没有足够的内存，客户“就无法生产AI计算设备和AI芯片”。他还表示，随着AI服务器需求持续爆发，HBM高带宽存储供不应求，不少科技巨头甚至提前赶到韩国抢签长期协议。崔泰源还警告称，明年可能会出现有史以来最严重的内存短缺。崔泰源将当前的AI比作一个四岁的孩子，随着行业逐步成熟，内存需求将大幅增长，并预测AI智能体的使用量五年内可能增长77倍。

财联社8月12日电，Omdia发文称，由于AI需求持续超过全球供应能力，推动DRAM和NAND市场实现强劲增长，Omdia将2026年全球半导体市场营收增长预测上调至同比增长94.1%。预计2026年存储器芯片（MemoryIC）收入将占全球半导体总营收的50%以上。与此同时，AI需求已超出当前半导体产业的芯片制造和封装能力，高带宽内存（HBM）、先进封装以及先进制程产能等关键环节的瓶颈预计至少将持续至2027年。

财联社8月11日电，高盛顶级科技专家Sean Johnstone在一份报告中指出， 市场正在争论内存价格的上涨空间。多头一派认为，HBM和DRAM订单已排期到2027年，长期协议设定了价格底线，这代表着内存仍有70%至80%的利润空间。空头则分析称，内存价格的“二阶导数”已经转负，意味着内存上涨的速度放缓，可能在明年第二季度或者第三季度达到峰值，并在晚些时候转向小幅下跌。此外，内存行业高达80%的利润率正在促使客户重新设计其芯片，这可能影响内存的供需平衡。

财联社8月11日电，三星电子相对于SK海力士的市盈率溢价当前接近两年来最低水平，不过随着该公司从其竞争对手手中重新夺回HBM市场份额，这一市盈率溢价有望扩大。瑞银模型预计，三星HBM出货量所占市场份额将从2025年的20%升至今年的31%，并在2027年进一步升至40%，届时将首次超过SK海力士。瑞银将三星列为该行业的首选股票。

财联社8月10日电，据当地媒体8月9日报道，三星电子HBM4近期良率已达到80%。半导体行业中，80%良率也被称作“黄金良率”，是一道关键拐点。达到该良率意味着缺陷率可控、产出稳定，具备盈利基础。一位业内人士表示：“三星电子最初设定的年终良率目标即为80%，但下半年量产规模提升后，工艺改善进度超出预期。”业内指出，三星电子该产品2月刚启动量产时良率不足60%，而后仅用六个月实现良率企稳，HBM市场竞争由此从技术研发比拼转向产能争夺。业内判断，SK海力士HBM4良率同样已经迈入80%区间。瑞银在近期报告中预测：若按HBM比特出货量统计，2026年SK海力士将以48%份额维持首位；2027年三星将以41%份额微弱反超SK海力士的39%。

财联社8月5日电，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其V10 Bonding V-NAND，即BV-NAND原型产品。三星还展示了其称业界首款zHBM和zNAND-O架构概念模型，该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据，其性能约为下一代HBM5的八倍。不同于传统HBM与AI处理器并列封装的方式，三星的zHBM会将存储垂直堆叠于AI加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度，同时将能源效率提高3倍，并将热阻降低一半以上。

财联社8月4日电，英伟达的GPU订单已经把台积电的封装产线挤到极限，台积电不得不决定将AI芯片制造核心工席CoWos中的CoW(晶圆上芯片)封装产能进一步外包给日月光等封测厂商。CoWoS是台积电用于AI芯片的2.5D封装技术，AI处理器位于芯片中心，HBM(高带宽内存)环绕四周，通过中介层连接。

《科创板日报》4日讯，根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，由于DRAM供不应求格局将延续至2027年，而且原厂HBM4e的验证进度存在变量，自2026年第三季起，英伟达对Rubin Ultra的HBM配置已从HBM4e 12hi，改为并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi等设计，目前尚未定案。除了英伟达外，部分云端服务供应商（CSP）也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。

《科创板日报》3日讯，分析师Qinbafrank发文称，市场关于英伟达Rubin HBM减配的传闻，并非指已经开始交付并逐步放量的标准版Vera Rubin NVL72，而是计划于2027年下半年推出的升级版Rubin Ultra配置规格尚未最终确定，多家机构预计，相较于英伟达此前在GTC展示的激进配置，其最终量产版本的规格存在下调的可能。

财联社7月30日电，三星电子预计2026年下半年，随着人工智能基础设施资本支出的持续投入以及代理式人工智能的广泛应用，以服务器为中心的需求将保持强劲。与此同时，服务器DRAM、企业级固态硬盘（eSSD）和高带宽内存（HBM）的需求增长预计将加速。该公司表示，尽管移动设备和PC市场的需求将有所放缓，但整体市场预计仍将保持供不应求的状态。