《科创板日报》24日讯,在日前举办的2024集邦咨询半导体产业高层论坛上,集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示,AI服务与云端应用带动高效能运算芯片需求强势增长,让先进工艺的发展成为半导体市场所关注的焦点。8英寸、12英寸晶圆厂摆脱了去年低迷的市况,2024年产能利用率迅速提升。在区域竞争背景下,各国持续祭出优渥的补贴政策吸引晶圆厂前往当地设厂,其中美国、日本、甚至欧洲都积极布局先进工艺产能。另据预测,HBM在DRAM总产值占比将从去年约一成提升到2025年超过30%。
《科创板日报》24日讯,由于三星和SK海力士正在增产HBM,韩国半导体设备公司用于HBM生产的TC键合机订单正在迅速增加。三星电子子公司EMES在一年左右的时间里,TC键合设备累计出货量已接近100台;本月,SK海力士与韩美半导体签署了价值1500亿韩元的TC键合设备供应合同,后者从SK海力士获得的HBM TC键合机订单累计金额达3587亿韩元。一台TC键合机价格约20亿韩元。
①存储原厂2025年HBM产能已被预订一空,订单能见度直达2026年Q1。 ②摆在供应商面前的有两条路:扩产和技术提升——由不得选择,只能“两条腿走两条路”。 ③IC设备和材料供应商已经看到中国企业对HBM等产品的需求强劲。
《科创板日报》19日讯,知情人士透露,美国存储芯片制造商美光科技正在美国建设先进高带宽存储(HBM)芯片的测试生产线,并首次考虑在马来西亚生产HBM,以满足人工智能热潮带来的更多需求。美光表示,其目标是到2025年将HBM(AI芯片的关键组件)的市场份额提高三倍以上,达到20%左右。
《科创板日报》18日讯,存储芯片供应链透露,上游存储原厂HBM订单2025年预订一空,订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄,2025年订单也接近满载,估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。但HBM排挤太多DRAM产能,势必将推动DDR5价格逐步拉升。模组厂认为,DDR5价格持续走扬态势明确,预期到了年底前还有10~20%涨幅,但若DDR5价格太高,反而可能拖延市场渗透率的起飞速度,影响下游客户采用的意愿。
《科创板日报》17日讯,据三星内部和业内消息人士称,三星电子将在年内推出高带宽存储器(HBM)的三维(3D)封装服务,预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。
①公司今年年末的产能目标较去年给出的数据高近三成。 ②设备厂商已接获相关订单,订单数量增长超出其最初预期。 ③下单的设备中,这三类是重点>>
《科创板日报》17日讯,据业内人士透露,SK海力士正在扩产其第5代1b DRAM,以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。SK海力士已向多家设备公司下订单。通过这项投资,SK海力士的1b DRAM产能预计将从第一季度的每月1万片晶圆增加到年底的每月9万片, SK海力士还计划到明年上半年将1b DRAM产量增加到14万至15万片。 “如果SK海力士的销量要求100%,生产或投资部门只接受70-80%”,业内人士表示,“我们非常谨慎。 ” 另一位业内人士表示,“设备订单数量的增长超出了我们最初的预期。”
《科创板日报》12日讯,摩根士丹利指出,由于近年来DRAM厂新增产能有限,叠加HBM消耗大量产能,DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”,明年标准型DRAM供应缺口高达23%,将比HBM更缺,为近年罕见,价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估,由原预期8%和10%,上调至13%和20%,调升幅度高达六成以上。
《科创板日报》12日讯,日本半导体设备商爱德万测试(Advantest)周三表示,用于人工智能任务的HBM需求旺盛,正在推动其内存测试仪业务的发展。首席执行官Douglas Lefever受访时表示:“目前,HBM约占我们内存测试业务的50%,我们认为这种趋势在短期内将持续下去。”
《科创板日报》12日讯,记忆体价格经历半年大幅上涨,且通端客户库存逐步回补完成,加上终端需求复苏较预期缓慢,市场法人预期,2024年下半年存储器报价涨势将转为缓和。就DRAM而言,中长线供需仍乐观,主要是在AI发展趋势下,将大量消耗高带宽记忆体( HBM)产能。
《科创板日报》29日讯,在近日的摩根大通投资者会议活动上,美光表示,2025年HBM内存供应谈判基本完成。美光高管代表宣称,其已与下游客户基本敲定了明年HBM订单的规模和价格,预计HBM内存将在其截至2024年9月的本财年中创造数亿美元的营收,而在2025财年相关业务的销售额将增加到数十亿美元。
财联社5月28日电, 日前国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司注册成立,注册资本3440亿元,规模超过前两期。记者采访半导体业内人士了解到,国家大基金三期有望延续对半导体产业链“卡脖子”环节投资,包括大型制造以及设备、材料等环节,另外HBM产业等人工智能半导体关键领域也有望获得国家大基金三期的投资。
《科创板日报》27日讯,业内人士透露,SK海力士计划为HBM添加大量新功能,例如计算、缓存、网络内存等。为此,该公司已开始获取半导体设计资产(IP)。
《科创板日报》27日讯,韩美半导体日前宣布,将收购仁川西区朱安国家工业园区土地和建筑物,以扩建HBM生产所需的TC粘合机生产线。公司TC粘合机客户包括SK海力士及美光。2024年韩美半导体的TC粘合机产能将达到264台(每月22台);此次购买的土地上将建设第七工厂,计划于2025年初开始全面运营,产能将增至每年420台(每月35台)。
财联社5月24日电,中信证券研报认为,英伟达一季度业绩、指引均超市场预期,良好业绩表现反映全球对AI算力的持续强劲需求,料将对美股硬件&半导体相关企业中短期业绩继续形成有力支撑,但伴随AI算力下游客户结构不断扩散(从云厂商到企业、主权国家客户等),以及英伟达自身产品策略的不断优化等,从AI芯片到硬件&整机、网络设备等环节的产品形态、市场竞争结构、产业投资逻辑亦在快速变化,围绕英伟达技术路线和产业链,持续看好晶圆代工(先进制程)、存储芯片(HBM)、IT设备(AI服务器、高密度闪存)、数通设备(以太网)等环节的中期投资机会。
财联社5月24日电,知情人士称,由于发热和功耗问题,三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片尚未通过英伟达的测试,无法用于后者的人工智能处理器。据悉,这些问题涉及三星电子的HBM和HBM3E产品。三星电子在一份声明中表示,HBM是一种定制的内存产品,需要根据客户的需求进行优化,“我们正通过与客户的密切合作优化产品”。该公司拒绝就具体客户发表评论。