《科创板日报》18日讯,存储芯片供应链透露,上游存储原厂HBM订单2025年预订一空,订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄,2025年订单也接近满载,估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。但HBM排挤太多DRAM产能,势必将推动DDR5价格逐步拉升。模组厂认为,DDR5价格持续走扬态势明确,预期到了年底前还有10~20%涨幅,但若DDR5价格太高,反而可能拖延市场渗透率的起飞速度,影响下游客户采用的意愿。
《科创板日报》17日讯,据三星内部和业内消息人士称,三星电子将在年内推出高带宽存储器(HBM)的三维(3D)封装服务,预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。
①公司今年年末的产能目标较去年给出的数据高近三成。 ②设备厂商已接获相关订单,订单数量增长超出其最初预期。 ③下单的设备中,这三类是重点>>
《科创板日报》17日讯,据业内人士透露,SK海力士正在扩产其第5代1b DRAM,以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。SK海力士已向多家设备公司下订单。通过这项投资,SK海力士的1b DRAM产能预计将从第一季度的每月1万片晶圆增加到年底的每月9万片, SK海力士还计划到明年上半年将1b DRAM产量增加到14万至15万片。 “如果SK海力士的销量要求100%,生产或投资部门只接受70-80%”,业内人士表示,“我们非常谨慎。 ” 另一位业内人士表示,“设备订单数量的增长超出了我们最初的预期。”
《科创板日报》12日讯,摩根士丹利指出,由于近年来DRAM厂新增产能有限,叠加HBM消耗大量产能,DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”,明年标准型DRAM供应缺口高达23%,将比HBM更缺,为近年罕见,价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估,由原预期8%和10%,上调至13%和20%,调升幅度高达六成以上。
《科创板日报》12日讯,日本半导体设备商爱德万测试(Advantest)周三表示,用于人工智能任务的HBM需求旺盛,正在推动其内存测试仪业务的发展。首席执行官Douglas Lefever受访时表示:“目前,HBM约占我们内存测试业务的50%,我们认为这种趋势在短期内将持续下去。”
《科创板日报》12日讯,记忆体价格经历半年大幅上涨,且通端客户库存逐步回补完成,加上终端需求复苏较预期缓慢,市场法人预期,2024年下半年存储器报价涨势将转为缓和。就DRAM而言,中长线供需仍乐观,主要是在AI发展趋势下,将大量消耗高带宽记忆体( HBM)产能。
《科创板日报》29日讯,在近日的摩根大通投资者会议活动上,美光表示,2025年HBM内存供应谈判基本完成。美光高管代表宣称,其已与下游客户基本敲定了明年HBM订单的规模和价格,预计HBM内存将在其截至2024年9月的本财年中创造数亿美元的营收,而在2025财年相关业务的销售额将增加到数十亿美元。
财联社5月28日电, 日前国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司注册成立,注册资本3440亿元,规模超过前两期。记者采访半导体业内人士了解到,国家大基金三期有望延续对半导体产业链“卡脖子”环节投资,包括大型制造以及设备、材料等环节,另外HBM产业等人工智能半导体关键领域也有望获得国家大基金三期的投资。
《科创板日报》27日讯,业内人士透露,SK海力士计划为HBM添加大量新功能,例如计算、缓存、网络内存等。为此,该公司已开始获取半导体设计资产(IP)。
《科创板日报》27日讯,韩美半导体日前宣布,将收购仁川西区朱安国家工业园区土地和建筑物,以扩建HBM生产所需的TC粘合机生产线。公司TC粘合机客户包括SK海力士及美光。2024年韩美半导体的TC粘合机产能将达到264台(每月22台);此次购买的土地上将建设第七工厂,计划于2025年初开始全面运营,产能将增至每年420台(每月35台)。
财联社5月24日电,中信证券研报认为,英伟达一季度业绩、指引均超市场预期,良好业绩表现反映全球对AI算力的持续强劲需求,料将对美股硬件&半导体相关企业中短期业绩继续形成有力支撑,但伴随AI算力下游客户结构不断扩散(从云厂商到企业、主权国家客户等),以及英伟达自身产品策略的不断优化等,从AI芯片到硬件&整机、网络设备等环节的产品形态、市场竞争结构、产业投资逻辑亦在快速变化,围绕英伟达技术路线和产业链,持续看好晶圆代工(先进制程)、存储芯片(HBM)、IT设备(AI服务器、高密度闪存)、数通设备(以太网)等环节的中期投资机会。
财联社5月24日电,知情人士称,由于发热和功耗问题,三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片尚未通过英伟达的测试,无法用于后者的人工智能处理器。据悉,这些问题涉及三星电子的HBM和HBM3E产品。三星电子在一份声明中表示,HBM是一种定制的内存产品,需要根据客户的需求进行优化,“我们正通过与客户的密切合作优化产品”。该公司拒绝就具体客户发表评论。
财联社5月20日电,据集邦咨询研究,三大原厂开始提高先进制程的投片,继存储器合约价翻扬后,公司资金投入开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期1alpha nm(含)以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40%。其中,HBM由于获利表现佳,加上需求持续看增,故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50~60%,且晶圆面积相较DRAM产品,放大逾60%,意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看,至年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(X)与DDR5产品。
《科创板日报》20日讯,TrendForce最新研究指出,三大原厂(三星、美光、SK海力士)开始提高先进制程投片,公司资金投入也开始增加,产能提升将集中在今年下半年,预期年底1alpha纳米以上投片将占约40%的DRAM总投片。其中,HBM生产顺序最优先,年底HBM将占先进制程比重35%,其余则用以生产LPDDR5(x)与DDR5产品。另外,由于英伟达GB200将于2025年放量,其规格为HBM3e 192/384GB,预期HBM产出将接近翻倍,且紧接各原厂将迎来HBM4研发,若投资没有明显扩大,在产能排挤效应之下,DRAM产品可能供应不足。
《科创板日报》20日讯,因PC、智能手机需求复苏仍需时间,4月DRAM价格涨势停歇, 2024年4月指标性产品DDR4 4Gb及8Gb批发价(大宗交易价格)连续第二个月环比持平。但业内期待随着HBM需求与产量提升,带动DRAM价格上涨,“HBM产量增加的话,其他DRAM产量就会减少,进而推升价格。”电子产品商社指出,部分大厂已接受存储芯片厂商的涨价要求。某家PC厂商表示,4-6月的DRAM批发价将较1-3月扬升5-10%。
《科创板日报》16日讯,SK海力士与台积电已敲定下一代HBM的合作量产计划。台积电将负责基础芯片前端工艺(FEOL)、后续布线工艺(BEOL)等,晶圆测试和HBM堆叠将由SK海力士进行。这意味着传统的前端制程将由台积电负责,后续制程将由SK海力士处理。业界预测,SK海力士将通过台积电7nm制程制造HBM4基片。