财联社7月4日电,据业界消息,三星电子负责半导体业务的设备解决方案(DS)部门当天进行改组,新设HBM研发组。三星电子副社长、高性能DRAM设计专家孙永洙(音译)担任该研发组组长,带领团队集中研发HBM3、HBM3E和新一代HBM4技术。此外,三星电子还对先进封装(AVP)团队和设备技术实验所进行重组,以提升整体技术竞争力。
《科创板日报》4日讯,TrendForce最新报告指出,DRAM现货价格因DDR4、DDR5供货吃紧,略有上涨。原本从退役模组中剥离出来的旧DDR4芯片供应量略有减少,加上DDR4芯片现货价格已跌至2023年底的0.9美元低点,因此近期有小幅反弹;不过消费电子需求并未出现明显反弹,因此预计DDR4芯片价格涨幅有限。DDR5方面,由于三星将更多1alpha nm产能分配给HBM导致供应量收紧,加上近期有特殊情况买家询价,因此DDR5产品价格略有上涨。
《科创板日报》3日讯,三星电子先进封装(AVP)部门正在主导开发“半导体3.3D先进封装技术”,目标应用于AI半导体芯片,2026年第二季度量产。该技术通过安装RDL中介层替代硅中介层来连接逻辑芯片和HBM;并通过3D堆叠技术将逻辑芯片堆叠在LLC上。三星预计,新技术商业化之后,与现有硅中介层相比,性能不会下降,成本可节省22%。三星还将在3.3D封装引进“面板级封装(PLP)”技术。
①SK集团旗下的半导体子公司SK海力士计划到2028年投资103万亿韩元(合748亿美元); ②其中约80%,即82万亿韩元,将用于投资高带宽内存芯片(HBM)。
《科创板日报》27日讯,韩国后端设备制造商ASMPT已向美光提供了用于高带宽内存生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机,用于HBM4生产。美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机,用于生产HBM3E。但据消息人士称,由于新川正在向其最大客户三星电子供应TC键合机,无法及时回应美光的需求,因此美光增加了韩美半导体作为第二供应商,并于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。
财联社6月27日电,美光科技称,2024-25年HBM内存芯片已经售罄;内存芯片供不应求;工业和零售需求存在不确定性。
《科创板日报》26日讯,半导体存储器DRAM的大宗交易价格上涨。截至5月,指标产品环比上涨了8%。随着用于生成式AI的新一代产品需求出现激增,存储器企业对普通产品也进行了强势提价。一家日本电子产品贸易商指出:“HBM供应跟不上需求,供应量出现短缺”。大型存储器企业表示,“我们强势要求客户在采购HBM之际高价购买普通DRAM,最终买方接受”。
《科创板日报》24日讯,在日前举办的2024集邦咨询半导体产业高层论坛上,集邦咨询资深研究副总经理郭祚荣表示,AI服务与云端应用带动高效能运算芯片需求强势增长,让先进工艺的发展成为半导体市场所关注的焦点。8英寸、12英寸晶圆厂摆脱了去年低迷的市况,2024年产能利用率迅速提升。在区域竞争背景下,各国持续祭出优渥的补贴政策吸引晶圆厂前往当地设厂,其中美国、日本、甚至欧洲都积极布局先进工艺产能。另据预测,HBM在DRAM总产值占比将从去年约一成提升到2025年超过30%。
《科创板日报》24日讯,由于三星和SK海力士正在增产HBM,韩国半导体设备公司用于HBM生产的TC键合机订单正在迅速增加。三星电子子公司EMES在一年左右的时间里,TC键合设备累计出货量已接近100台;本月,SK海力士与韩美半导体签署了价值1500亿韩元的TC键合设备供应合同,后者从SK海力士获得的HBM TC键合机订单累计金额达3587亿韩元。一台TC键合机价格约20亿韩元。
①存储原厂2025年HBM产能已被预订一空,订单能见度直达2026年Q1。 ②摆在供应商面前的有两条路:扩产和技术提升——由不得选择,只能“两条腿走两条路”。 ③IC设备和材料供应商已经看到中国企业对HBM等产品的需求强劲。
《科创板日报》19日讯,知情人士透露,美国存储芯片制造商美光科技正在美国建设先进高带宽存储(HBM)芯片的测试生产线,并首次考虑在马来西亚生产HBM,以满足人工智能热潮带来的更多需求。美光表示,其目标是到2025年将HBM(AI芯片的关键组件)的市场份额提高三倍以上,达到20%左右。
《科创板日报》18日讯,存储芯片供应链透露,上游存储原厂HBM订单2025年预订一空,订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄,2025年订单也接近满载,估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。但HBM排挤太多DRAM产能,势必将推动DDR5价格逐步拉升。模组厂认为,DDR5价格持续走扬态势明确,预期到了年底前还有10~20%涨幅,但若DDR5价格太高,反而可能拖延市场渗透率的起飞速度,影响下游客户采用的意愿。
《科创板日报》17日讯,据三星内部和业内消息人士称,三星电子将在年内推出高带宽存储器(HBM)的三维(3D)封装服务,预计这项技术将用于将于2025年推出的HBM4。
①公司今年年末的产能目标较去年给出的数据高近三成。 ②设备厂商已接获相关订单,订单数量增长超出其最初预期。 ③下单的设备中,这三类是重点>>
《科创板日报》17日讯,据业内人士透露,SK海力士正在扩产其第5代1b DRAM,以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。SK海力士已向多家设备公司下订单。通过这项投资,SK海力士的1b DRAM产能预计将从第一季度的每月1万片晶圆增加到年底的每月9万片, SK海力士还计划到明年上半年将1b DRAM产量增加到14万至15万片。 “如果SK海力士的销量要求100%,生产或投资部门只接受70-80%”,业内人士表示,“我们非常谨慎。 ” 另一位业内人士表示,“设备订单数量的增长超出了我们最初的预期。”
《科创板日报》12日讯,摩根士丹利指出,由于近年来DRAM厂新增产能有限,叠加HBM消耗大量产能,DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”,明年标准型DRAM供应缺口高达23%,将比HBM更缺,为近年罕见,价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估,由原预期8%和10%,上调至13%和20%,调升幅度高达六成以上。
《科创板日报》12日讯,日本半导体设备商爱德万测试(Advantest)周三表示,用于人工智能任务的HBM需求旺盛,正在推动其内存测试仪业务的发展。首席执行官Douglas Lefever受访时表示:“目前,HBM约占我们内存测试业务的50%,我们认为这种趋势在短期内将持续下去。”
《科创板日报》12日讯,记忆体价格经历半年大幅上涨,且通端客户库存逐步回补完成,加上终端需求复苏较预期缓慢,市场法人预期,2024年下半年存储器报价涨势将转为缓和。就DRAM而言,中长线供需仍乐观,主要是在AI发展趋势下,将大量消耗高带宽记忆体( HBM)产能。