①本周四,全球芯片股迎来一片狂欢。美光科技公司发布了亮丽财报之后,SK海力士、东京电子也传出利好消息,推动美国、日韩和欧洲市场的芯片股价普遍上涨; ②与接连不断的好消息形成鲜明对比的,是半个月前,摩根士丹利才刚刚发布的一篇名为《凛冬将至》的看衰报告。
财联社9月11日电,据《韩国先驱报》11日报道,美国商务部负责工业和安全事务的副部长埃斯特维兹当地时间10日在美国华盛顿特区举行的“2024年韩美经济安全会议”上,呼吁韩国芯片制造商向韩国盟国而不是中国等国供应HBM芯片。埃斯特维兹还重申美国会推动对量子计算和全环绕栅极(GAA)尖端芯片制造工艺等关键技术的出口管制,并敦促韩国也加入其中。中方此前多次就美国对华芯片出口管制表明立场,坚决反对美方胁迫其他国家搞对华出口限制。
《科创板日报》9日讯,美光表示,目前正在将可供制造的(production-capable)12层第五代HBM(HBM3E)送交给AI产业链重要合作伙伴,以进行验证程序。
《科创板日报》4日讯,SK海力士社长金柱善(Kim Ju Seon)今日表示,预计本月底将开始量产12层HBM3E,并将与台积电合作生产HBM4。
《科创板日报》4日讯,SK海力士正在将利川厂的M10F产线转向生产HBM,计划明年四季度实现量产。投产后,SK海力士的HBM产能可达每月15万片。设备供应商已收到相关设备的采购订单。
《科创板日报》4日讯,TrendForce集邦咨询表示,三星电子的HBM3E内存产品已完成验证,并开始正式出货HBM3E 8Hi,主要用于H200,同时Blackwell系列的验证工作也在稳步推进。
《科创板日报》3日讯,为了应对大芯片趋势及AI负载对更多HBM的需求,台积电计划将InFO-SoW与SoIC结合,形成CoW-SoW,将存储器或逻辑芯片堆叠在晶圆上,并预计在2027年开始量产。
《科创板日报》29日讯,TrendForce最新报告显示,2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash(闪存)零售渠道的出货量已大幅年减40%,下滑明显超出市场预期,这预示着下半年的需求不会大幅回温。TrendForce表示,从2025年的情况来看,虽然预期DRAM价格会逐季上扬,但原因是HBM3e渗透率持续提升拉高均价,以及供给端缺乏新产能而有所限制。如果消费性需求持续疲软,DRAM价格上涨的幅度将低于预期。
①Cerebras基于其自己的芯片计算系统发布了号称世界上速度最快的AI推理服务; ②Cerebras将内存直接内置在巨大的芯片中,从而拥有巨大的片上内存和极高的内存带宽。
《科创板日报》27日讯,SK海力士副总裁文起一称,Chiplet芯粒/小芯片技术将在2~3年后应用于DRAM和NAND产品。文起一在本次会议上还表示,用于连接HBM内存各层裸片的新兴工艺混合键合目前面临诸多挑战,但该工艺仍将是未来方向。
《科创板日报》27日讯,SK海力士第六代高带宽存储器(HBM4)商用化计划顺利推动,传针对主要客户NVIDIA的HBM4设计已进入收尾阶段,预计于2024年10月完成设计定案。
《科创板日报》23日讯,SK海力士将于9月台湾国际半导体展(Semicon Taiwan)时宣布与台积电、英伟达更紧密的合作计划,并聚焦下一代HBM技术的开发,进一步掌握AI服务器关键零组件。
《科创板日报》22日讯,受惠于AI商机带来红利,存储器大厂营运持续复苏成长,市场预期,在HBM需求急增以及DDR5渗透率提升带动下,整体DRAM产品均价将持续上涨,2024年平均涨幅约达五至六成以上,尽管基期已拉高,但2025年仍有机会维持三至四成的涨幅,HBM将是直接牵动DRAM产业供需及价格走势的关键。8层堆叠的HBM平均价格约较DDR5约高出5倍,而业界HBM的良率仍有很大的改善空间,以及AI服务器推动存储器需求增加,带动HBM在整体DRAM产能及产值的比重逐年提升,预计2025年在DRAM总产能比重将超过10%,而产值贡献将可望超过30%以上。
《科创板日报》21日讯,SEMI最新报告显示,2024年第二季度全球半导体制造业继续呈现改善迹象,集成电路销售额大幅增长、资本支出趋于稳定,晶圆厂安装产能增加。从第三季度开始,电子产品销售预计将出现反弹,同比增长4%,环比增长9%。2024年第二季度,全球集成电路销售额同比增长27%,预计第三季度将进一步增长29%,超过2021年的历史记录。需求改善还带动2024年上半年集成电路库存水平同比下降 2.6%。随着对AI芯片的需求不断增长以及HBM的快速采用,预计从第三季度开始,这一趋势将转为积极,其中存储资本支出将环比增长16%。
《科创板日报》20日讯,SK海力士副总裁Ryu Seong-su于19日透露,公司的HBM正受到全球企业的高度关注,苹果、微软、谷歌、亚马逊、英伟达、Meta和特斯拉美股科技股七巨头都向SK海力士提出了定制HBM解决方案的要求。
《科创板日报》20日讯,SK海力士副社长柳成洙(Ryu Seong-su)宣布,公司目标开发一款性能比当前HBM高出20至30倍的产品。他表示,公司致力于通过面向人工智能的内存解决方案来应对大众市场。随着人工智能技术的快速进步,对高性能内存的需求将持续增长。
《科创板日报》19日讯,三星电子将于今年底启动下代HBM4内存的流片,为明年底的12层堆叠HBM4产品量产做准备。考虑到从流片到测试产品的推出还需要3到4个月的时间,三星电子的HBM4 12H样品预计最早明年初亮相。三星电子此后将对样品进行功能验证并改进设计和工艺,改进后的样品将向主要客户出样。
《科创板日报》14日讯,继AI之后,HBM将应用于汽车高级辅助驾驶(ADAS)。SK海力士副总裁Kang Wook-seong今日透露,公司已经开始将HBM引入汽车半导体,Waymo已搭载SK海力士的HBM2E。
《科创板日报》14日讯,在AI服务器出货大幅增长的推动下,eSSD、DDR5 RDIMM和HBM需求稳定提升,带动原厂NAND Flash和DRAM ASP逐季上涨。据CFM闪存市场数据显示,2024年二季度全球NAND Flash市场规模环比增长18.6%至180.0亿美元,DRAM市场规模环比增加24.9%至234.2亿美元。全球存储市场规模二季度环比增长22.1%至414.2亿美元,同比大增108.7%。
《科创板日报》13日讯,据IDC报告,三大内存原厂三星电子、SK海力士、美光分列2024年一季度半导体IDM企业营收榜单第一、三、四位,第二位则是英特尔。报告表示,数据中心对AI训练与推理的需求飙升,其中对HBM内存的需求提升尤为明显。HBM自身的高价和对通用DRAM产能的压缩也推动DRAM平均价格上升,使总体内存市场营收大幅成长。三星电子、SK海力士、美光这三大内存原厂在今年一季度均实现超50%营收同比增长。