财联社3月17日电，当地时间周二（3月17日），韩国SK集团董事长崔泰源在英伟达GTC大会上表示，由于芯片生产存在系统性瓶颈，他预计全球内存芯片短缺的情况很可能会持续到2030年。与此同时，他预计DRAM、NAND和HBM等各类存储芯片的价格将持续上涨，涨势可能会持续较长时间。
①韩国SK集团董事长崔泰源预测全球内存芯片短缺将持续到2030年，因芯片生产存在系统性瓶颈，且市场对人工智能需求增加； ②崔泰源预计DRAM、NAND和HBM芯片价格将持续上涨，SK海力士正考虑在美上市发行ADR以扩大投资者群体。
财联社3月17日电，AI带动存储市场规模不断扩大，其已成为半导体产业最大的组成部分，且依然供不应求。多位业内人士表示，现货市场，有些存储产品目前价格较2月已经涨价近20%；合约市场，在三星、SK海力士带动下，全球存储二季度涨价已经确立，全年HBM（高带宽内存）产能缺口预计达50%至60%，涨价依然是主旋律。
《科创板日报》16日讯，Counterpoint Research在报告中预测，AI服务器计算ASIC对HBM内存的需求到2028年将达到2024年水平的35倍，同时平均HBM内存容量也在这一过程中增长近5倍。
《科创板日报》16日讯，供应链透露，由于HBM4供应不如预期，英伟达下修新一代Rubin GPU平台投片。有晶圆代工厂商透露，英伟达原先规划Rubin GPU自2026年起逐步取代Blackwell平台，并占用相当比例先进封装产能。不过，受HBM4供应链出现技术调整与产能限制，Rubin量产节奏可能延后，使其在英伟达整体CoWoS封装产能占比低于先前预估。
《科创板日报》12日讯，市场调查机构CounterPoint Research表示，与以往的周期不同，当前内存市场即使价格上涨，需求也不会下降。供应短缺问题至少要到2027年下半年才能得到实质性解决。因构建人工智能数据中心对服务器DRAM和高带宽内存(HBM)的需求已经超过了整个市场的需求。
财联社3月11日电，知情人士表示，AMD首席执行官苏姿丰将于下周在韩国会见韩国科技霸主三星电子会长李在镕，双方将重点讨论在用于人工智能芯片组件的高带宽存储(即HBM存储系统)供应保障方面开展积极合作。知情人士表示，预计苏姿丰还将与韩国最大互联网门户和搜索引擎提供商Naver讨论更广泛的AI算力基础设施合作前景。
《科创板日报》9日讯，英伟达计划在今年下半年推出下一代AI加速器Vera Rubin。该产品将采用三星电子和SK海力士提供的第6代高带宽内存HBM4，而全球第三大内存厂商美光被排除在Vera Rubin的HBM4供应链之外。
①目前该项技术正处于验证阶段，近期其内部测试已取得积极成果； ②为增强HBM稳定性，SK海力士计划增加部分上层DRAM芯片的厚度； ③封装新方案旨在不大幅改变现有工艺流程的前提下，缩小DRAM间距并保持稳定的良率。
《科创板日报》4日讯，SK海力士正在推进一项旨在提升HBM4稳定性和性能的封装技术革新，其核心措施包括增加DRAM厚度和缩小DRAM层间距，目前该技术正在验证阶段。若其成功商业化，将有效缩小HBM4及未来产品在DRAM性能上的差距。
《科创板日报》3日讯，设计高效且结构良好的电源分配网络正成为HBM行业面临的最关键挑战之一，三星预计将于今年开始量产HBM4E，并引入一种全新的供电架构——PDN分段技术。据悉，采用新的供电网络后，HBM4E的金属电路缺陷相比HBM4减少了97%，IR压降降低了41%。更低的IR压降扩大了电压裕度，从而提高了运行速度并增强了芯片的整体可靠性。
《科创板日报》1日讯，博通推出业界首个3.5D XDSiP定制化封装平台，并已开始首次批量生产出货。其首位客户为富士通公司，该平台通过混合键合技术实现信号密度提升7倍且功耗降至十分之一，单台设备可搭载6至12颗HBM4。
①芯片尺寸的扩大能保证TSV（硅通孔）工艺的稳定性，同时便于散热； ②三星电子在HBM4核心芯片中采用1c DRAM技术，目前良率约60%； ③SK海力士和美光在其HBM4芯片中使用了与HBM3E相同的1b DRAM芯片。
《科创板日报》27日讯，三星电子正集中精力提高1c DRAM的良率，同时抢占HBM4市场份额。具体而言，三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的稳定性。
《科创板日报》26日讯，根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，由于AI应用由LLM模型训练延伸至推理，推动CSPs业者的数据中心建置重心由AI Server延伸至General Server，进一步推动存储器采购重心由HBM3e、LPDDR5X及大容量RDIMM延伸至各类容量的RDIMM，积极释出追加订单，带动Conventional DRAM的合约价大幅上涨，2025年第四季DRAM产业营收为535.8亿美元，较上季度增加29.4%。
《科创板日报》25日讯，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，2025年第四季度其良率约为60-70%，如今已显著提升，并有望在5月份左右达到90%。业内人士进一步表示，三星基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。
财联社2月21日电，在2月20日举行的虚拟投资者会议上，SK海力士向高盛透露了存储市场的最新动态。SK海力士在高盛电话会上释放强烈信号：存储行业已全面进入卖方市场。受AI真实需求驱动及洁净室空间受限影响，今年存储价格将持续上涨。公司透露目前DRAM及NAND库存仅剩约4周，且没有任何客户能完全满足需求。随着2026年HBM产能售罄，标准型DRAM的极度短缺正显著提升供应商议价权，产业链已开启长期合约谈判以锁定未来供应。在AI需求爆发与供应瓶颈的共振下，存储芯片正全面进入“卖方市场”，海力士明确表示今年所有客户的需求都无法得到完全满足，价格上涨已成定局。
《科创板日报》13日讯，韩美半导体推出新型宽幅热压键合设备。据报道，韩美半导体发布的新型宽幅热压键合设备主要是为下一代高带宽内存产品HBM5、HBM6打造。这项技术相比传统的高堆叠方式能够改善功耗，还有利于提升内存容量以及带宽。
财联社2月13日电，根据TrendForce集邦咨询最新HBM产业研究，随着AI基础建设扩张，对应的GPU需求也不断成长，预期英伟达Rubin平台量产后，将带动HBM4需求。目前三大存储器原厂的HBM4验证程序已进展至尾声，预计将在2026年第二季陆续完成。其中，三星凭借最佳的产品稳定性，预期将率先通过验证，SK海力士、美光随后跟上，可望形成三大厂供应英伟达HBM4的格局。
