财联社1月8日电，广州市人民政府办公厅印发广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年）。规划指出，加快推动半导体与集成电路产业发展，积极谋划芯片研发设计、晶圆制造、封装测试、半导体材料和设备等全产业链布局。依托黄埔、南沙、增城等区，着力补齐产业链空缺，集聚发展光掩膜、光刻胶、电子气体、高纯靶材等制造材料生产线及其产业链上下游，引进培育光刻、刻蚀、离子注入、沉积、清洗、检测设备等制造设备及零部件龙头企业。到2035年，形成龙头企业引领、单项冠军攻坚、“专精特新”铸基的半导体与集成电路企业梯队，产业链供应链国产化水平进一步提升，打造国家集成电路第三极核心承载区。
财联社1月8日电，广州印发广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年），大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造，加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，培育壮大化合物半导体IDM（集成器件制造）、宽禁带半导体材料、电子级多晶硅及硅片企业。支持开展射频、传感器、纳米级陶瓷粉体、电力电子等器件研发转化，推动化合物半导体产品的推广应用。
财联社1月8日电，广州市人民政府办公厅印发广州市加快建设先进制造业强市规划（2024—2035年）。规划指出，大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造，加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，培育壮大化合物半导体IDM（集成器件制造）、宽禁带半导体材料、电子级多晶硅及硅片企业。支持开展射频、传感器、纳米级陶瓷粉体、电力电子等器件研发转化，推动化合物半导体产品的推广应用。
财联社1月8日电，合肥市委发布关于制定合肥市国民经济和社会发展第十五个五年规划的建议，其中指出，加快新兴产业和未来产业培育壮大。坚持重点突破与全面布局相结合，围绕“芯屏汽合”等重点方向，聚力推动基础较好、引领带动能力强的主导产业壮大规模、增强优势。智能网联新能源汽车产业，巩固新能源乘用车领先优势，差异化布局新能源商（专）用车，实现整零高水平配套，推动汽车后市场高质量发展。新一代信息技术产业，聚焦集成电路、新型显示等重点领域，加快3D DRAM、柔性OLED、微显示、光量子等新技术布局应用，强化重大项目建设和先进制程工艺、核心装备材料攻关。新能源产业，扩大储能产业比较优势和市场占有率，加快动力电池技术创新和产业规模壮大，加强先进光伏及电力电子设备布局应用。新材料产业，突出主导产业需求，大力发展超导材料、半导体材料、功能性膜材料、正负极材料、镁基新材料等。智能家电（居）产业，推动家电高端化、智能化、绿色化、场景化发展，拓展服务型家电、特色小家电、可穿戴设备等新赛道。高端装备制造产业，巩固提升工程机械、智能成套设备等优势领域国际竞争力，加快培育工业机器人、半导体装备、无人船（艇）等新增长点。
①昨日晚间，长鑫科技集团股份有限公司科创板IPO申请正式获上交所受理，融资金额达295亿元。 ②以行业视角观之，当前全球DRAM存储需求紧张，本月SK海力士警告称，DRAM供应短缺状况将持续至2028年。
财联社11月26日电，天眼查App显示，近日，国创先进半导体材料（无锡）有限公司发生工商变更，新增五粮液旗下四川普什产业发展基金合伙企业（有限合伙）为股东，注册资本由3800万人民币增至4800万人民币。国创先进半导体材料（无锡）有限公司成立于2024年3月，法定代表人为郑际杰，经营范围含工程和技术研究和试验发展、技术玻璃制品制造、技术玻璃制品销售、新材料技术推广服务、新材料技术研发、技术进出口等。股东信息显示，该公司现由江苏远航时代控股集团有限公司、玻璃新材料创新中心（安徽）有限公司、江苏振球投资有限公司及上述新增股东等共同持股。
财联社11月19日电，据胜科纳米消息，11月18日，胜科纳米与浙江大学签署科研合作协议，共同启动“多维度理论计算赋能半导体产业新发展”项目，双方将围绕“基于AI技术构建面向新型半导体材料工艺研发的智算设计系统”展开深度合作。
①恒坤新材是境内少数具备12英寸集成电路晶圆制造关键材料研发和量产的企业之一，客户涵盖多家国内领先的12英寸集成电路晶圆厂； ②在光刻材料领域，公司已有多款产品量产，包括SOC、BARC、KrF光刻胶、i-Line光刻胶等，ArF浸没式光刻胶已通过验证并小规模销售。
财联社11月6日电，中信证券研报指出，三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25%，季度涨幅或达30%-50%，存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长，同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求，建议关注长鑫产业链，重点布局国产半导体材料细分龙头。
财联社10月22日电，中信建投研报称，随着半导体产业更先进制程迈进，芯片尺寸缩小而功率激增，“热点”问题突出，芯片表面温度过高会导致安全性和可靠性下降，催生对高效散热方案的需求。金刚石是理想散热材料，热导率可达2000W/m・K，是铜、银的4—5倍，也是硅、碳化硅等半导体材料的数倍至数十倍，且兼具高带隙、极高电流承载能力、优异机械强度与抗辐射性，在高功率密度、高温高压等严苛场景中优势显著。其应用形式包括金刚石衬底、热沉片及带微通道的金刚石结构，可适配半导体器件、服务器GPU等核心散热需求。在制备上，化学气相沉积法（CVD）为主流，可生产单晶、多晶、纳米金刚石，国内外企业已开发相关产品。伴随算力需求提升与第三代半导体发展，未来金刚石在高端散热市场空间广阔。
财联社10月9日电，继今年4月在《自然》提出“破晓”二维闪存原型器件后，复旦大学科研团队又迎来新突破。北京时间10月8日晚，复旦大学在《自然》（Nature）上发文，题目为《全功能二维-硅基混合架构闪存芯片》（“A full-featured 2D flash chip enabled by system integration”），相关成果率先实现全球首颗二维-硅基混合架构芯片，攻克新型二维信息器件工程化关键难题。面对摩尔定律逼近物理极限的全球性挑战，具有原子级厚度的二维半导体是目前国际公认的破局关键，科学家们一直在探索如何将二维半导体材料应用于集成电路中。当前，国际上对二维半导体的研究仍在起步阶段，尚未实现大规模应用。
财联社7月18日电，集成电路是现代信息技术的核心基础。近年来，随着硅基芯片性能逐步逼近物理极限，开发新型高性能、低能耗半导体材料，成为全球科技研发热点。其中，二维层状半导体材料硒化铟因迁移率高、热速度快等优良性能，被视为有望打破硅基物理限制的新材料。由北京大学、中国人民大学科研人员组成的研究团队历经四年攻关，首创一种“蒸笼”新方法，首次在国际上成功实现高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造，并研制出核心性能超越3纳米硅基芯片的晶体管器件。该成果18日在线发表于《科学》杂志。
财联社7月9日电，市场监管总局、工业和信息化部印发《计量支撑产业新质生产力发展行动方案（2025—2030年）》。其中提到，面向重大工程、国防安全、新兴产业和民生保障等领域，聚焦先进钢铁、有色金属、无机非金属、高温合金、高性能铁磁材料、高性能纤维及复合材料、稀土功能材料、超高纯稀有金属材料、先进半导体材料和新型显示材料性能及成分控制、生产加工及应用等计量测试需求，开展专用计量测试装备、方法研制，建设质量技术基础公共计量服务平台和联盟，推动计量与产品标准、检测技术的有效衔接，完善新材料计量测试和质量评价体系，加强计量数据的管理和应用，提高新材料质量稳定性和服役寿命，降低生产成本，促进新材料产业基础能力提升。
①日本化工巨头旭化成据称已向客户通知，因产能无法跟上市场需求，可能对部分客户断供PSPI产品； ②PSPI在先进封装制程中至关重要，断供可能影响台积电、日月光投控及群创等公司的封装业务，并进一步冲击全球人工智能产业； ③业内认为，台积电可能得到优先供应。
财联社5月5日电，从供应链权威渠道获悉，海力士DRAM（消费级）颗粒价格已上涨约10%+。另据市场调查公司DRAMeXchange市调结果显示，用于个人电脑的通用DRAM DDR4 8Gb（千兆字节）产品的固定交易价格较3月上涨22.22%。
①随着珠海募投项目的推进，龙图光罩产品制程水平将拓展至90nm、65nm； ②该公司原材料主要来自于日韩，目前暂未收到原材料价格发生重大波动的情形，但若美国通过技术管制进一步限制日韩供应商使用美国技术（如EDA工具、专利授权等），可能间接推高原材料价格或影响供应稳定性。
①报告期内，公司海外收入为8.4亿元，同比增长104.43%； ②2024年，公司碳化硅衬底产量41.02万片，较2023年增长56.56%； ③目前公司已实现8英寸导电型衬底产品质量和批量供应。
《科创板日报》24日讯，证监会披露平台显示，上海超硅半导体股份有限公司上市辅导工作完成，辅导机构为长江保荐。
①受全球经济波动，部分细分领域终端需求疲软和库存调整速度放缓等因素影响，全球半导体硅片市场复苏不及预期； ②上海合晶“8英寸超厚外延工艺研发”已进入量产阶段；“12英寸车规级850V以上IGBT超厚外延片研发”在小批量量产阶段。
财联社2月2日电，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉，我国在太空成功验证了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子研究所刘新宇研究员介绍，功率器件是实现电能变换和控制的核心，被誉为“电力电子系统的心脏”，是最为基础、应用最为广泛的器件之一。随着硅基功率器件的性能逼近极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，以其独特优势可满足空间电源系统高能效、小型化、轻量化需求，对新一代航天技术发展具有重要战略意义。 业内专家认为，我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件，标志着在以“克”为计量的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牵引空间电源系统的升级换代，为未来我国在探月工程、载人登月、深空探测等领域提供新一代功率器件。
