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电报|龙腾股份12英寸MOSFET进入工程批试产 IGBT产品处三批量阶段
《科创板日报》4日讯,记者从龙腾半导体股份有限公司(以下简称“龙腾股份”)获悉,公司目前正在开展基于12英寸晶圆工艺平台的功率MOSFET产品,产品已处于工程批试产阶段。公司在IGBT方面已有产品处于三批量阶段,未来将进一步丰富产品系列。公司资料显示,龙腾股份超结MOSFET、屏蔽栅沟槽MOSFET 和沟槽型MOSFET 芯片以基于8 英寸晶圆工艺平台进行研发设计为主,平面型MOSFET 芯片则基于6 英寸晶圆工艺平台进行研发设计为主。(记者 章银海)
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