《科创板日报》（上海，研究员 何律衡）讯，周四（17日）盘后，南大光电公告，公司控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶产品近日成功通过客户的使用认证，这标志着“ArF光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破，成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。

认证评估报告显示，“本次认证选择客户50nm闪存产品中的控制栅进行验证，宁波南大光电的ArF光刻胶产品测试各项性能满足工艺规格要求，良率结果达标。”

据了解，“ArF光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家“02专项”的一个重点攻关项目，总投资6亿元，项目完全达产后，预计实现约10亿元的年销售额，年利税预计约2亿元。

资料显示，光刻胶是半导体光刻工艺的核心材料，决定了半导体图形工艺的精密程度和良率，其质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。

与此相对的，作为高精尖的半导体制造核心材料，由于技术壁垒和客户壁垒高，全球半导体光刻胶市场集中度高，市场被美日公司长期垄断。日本的JSR、东京应化、信越化学及富士电子四家企业占据了全球70%以上的市场份额，处于市场垄断地位。

按不同制程，半导体用光刻胶可分为EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶及G线、i线光刻胶，前三者均为高端光刻胶产品，产业信息网数据显示，截至2019年国内在g线/i线光刻胶仅达到20%自给率，而KrF光刻胶自给率不足 5%，ArF光刻胶则完全依赖进口。

研发进度上，EUV光刻胶为目前市场上最高端的光刻胶，目前国内还未开始涉及，但在ArF光刻胶、KrF光刻胶领域，除了南大光电外，国内已有众多企业相继开启研发。

结合券商研报，国内半导体光刻胶产业链重点公司情况如下：

晶瑞股份：子公司苏州瑞红承担并完成了国家02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目，i线光刻胶已向国内头部的知名大尺寸半导体厂商供货，KrF光刻胶完成中试，产品分辨率达到了0.25～0.13µm的技术要求，建成了中试示范线。10月12日，晶瑞股份对深交所关注函的回复公告显示，公司拟购买光刻机设备的型号为ASML XT 1900Gi ArF浸入式光刻机，可用于研发最高分辨率达28nm的高端光刻胶。

上海新阳：主攻KrF和干法ArF光刻胶，已经进入产能建设阶段。根据2020年11月3日定增预案，公司拟定增募资不超过14.50亿元，其中8.15亿元拟投资于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目，主要目标为实现ArF干法工艺使用的光刻胶和面向3D NAND台阶刻蚀的KrF厚膜光刻胶的产业化，力争于2023年前实现上述产品的产业化，填补国内空白。

北京科华（未上市）：产品类型覆盖KrF（248nm）、G/I 线（含宽谱）， KrF（248nm）光刻胶已经通过包括中芯国际在内的部分客户认证，并实现批量供货，G线、i线光刻胶已实现量产供货。

华泰证券研究员胡剑11月18日报告指出，一方面我国出台了多项相关政策，为光刻胶产业发展提供了良好的政策支持，另一方面国家集成电路大基金二期布局规划明确支持包括光刻胶在内的国产半导体材料产业链，国产光刻胶研发和量产或将提速，国内厂商纷纷计划在被日美垄断的半导体光刻胶领域扩大投入，并在高端ArF光刻胶领域研发和量产持续突破。

根据智研咨询预测，2022年中国大陆半导体光刻胶市场空间将会接近55亿元，是2019年的两倍。胡剑进一步指出，以日本光刻胶发展史为鉴，认为在拥有全球最大电子产业和半导体市场的中国，持续扩大的本土半导体产能、国家政策和决心与集成电路大基金的支持都将为中国国产光刻胶提供前所未有的发展新机遇。