打开APP
×
一骑绝尘!台积电敲定先进制程量产时间表 5nm产能将增长超3倍
科创板日报 何律衡
2020-08-25 星期二
原创
台积电规划5nm及3nm产能将于南科生产,而2nm则落脚在新竹厂区,正取得土地中。新研发中心预计在2021年建成,会有一条全世界最领先的半导体研发生产线,将容纳8000位科学家和工程师。
台积电
台湾积体电路制造股份有限公司,简称台积电、TSMC,属于半导体制造公司。
关注

《科创板日报》(上海,研究员 何律衡)讯,本周二(25日),全球晶圆代工龙头台积电举行线上技术论坛,除了披露旗下最新工艺制程情况外,同时公布了其扩产及研发计划。业务开发资深副总经理张晓强表示,公司5nm制程再次领先全球,率先进入量产,并确定引入EUV技术,明年还将在目前N5工艺上,推出加强版N5P工艺。

5nm到3nm安排上了

据张晓强介绍,台积电已为其5nm、4nm、3nm制程初步定下量产时间表:

其中,5nm制程将分为N5工艺以及加强版N5P工艺,N5工艺较同一时期量产的7nm N7工艺,速度提高15%,功耗降低30%,逻辑电晶体密度增1.8倍,良率也有所提高,N5P工艺则在N5工艺的基础上性能再次提升,预计明年量产。

5nm以下先进制程方面,4nm是建立在5nm平台上,把5nm效能与功耗进一步向前推进,4nm与5nm互相兼容,计划2021年第四季试产、2022年量产;3nm则将沿用FinFET制程,且为全新的节点技术,与5nm相比,速度增加10%至15%,功耗降25%至30%,逻辑电晶体密度增1.7倍,预计2022年下半年量产。

此外,张晓强还表示,2019年下半年提到的6nm制程,目前已进入试产,除了提高7nm的效能,最大的好处是平台兼容性,沿用客户投资并得到回报。

特殊制程方面,台积电还介绍了专为IoT、移动和边缘设备等低功耗设备而设计的N12e工艺,该工艺是台积电12 nm FinFET节点的增强版,拥有更低功耗、更高性能,支持超低漏电器件和低至0.4V的超低Vdd设计。

扩产、研发齐头并进

技术上领先,台积电自然也不会在产能、研发上落后。在25日的技术论坛上,台积电营运组织资深副总经理秦永沛表示,台积电每年投资超过100亿美元,确保产能高居全球第一,并大幅超越第二名公司3倍以上。据其透露,目前台积电规划5nm及3nm将于南科生产,而2nm则落脚在新竹厂区,正取得土地中。

秦永沛进一步指出,位于南科的晶圆18厂1至3期是5nm量产基地,其中,1、2期已开始量产,3期正在装机,预计2022年5nm产能将较今年成长超过3倍。另外,南科晶圆18厂的4至6期,规划为3nm量产基地,目前正兴建中,南科厂区也将新建特殊制程与先进封装厂。

至于台积电新竹厂区研发中心已开始兴建,预计2021年完工,未来将是2nm及更先进技术的研发重镇;另一方面,新竹厂区预计2nm生产基地,目前正在取得土地。

在极紫外光(EUV)技术方面,秦永沛指出,台积电EUV机台占全球比重达50%,晶圆移动占全球比重更超过60%;在特殊制程技术方面,台积电特殊制程产能持续成长,2015年占总产能约38%,今年特殊制程产能将较去年成长10%,约占总产能比重将达54%。

另据张晓强透露,台积电新建的R&D研发中心,会有一条全世界最领先的半导体研发生产线,预计在2021年建成,将容纳8000位科学家和工程师。台积电将继续研发、投资、创新,带动半导体新技术的开发。

继上周宣布完成第10亿颗7nm芯片量产工作后,台积电的全新“日程表”再次向世界证明了其晶圆代工绝对霸主的实力。相较于第二大晶圆代工商三星5nm量产计划屡屡受挫、英特尔7nm芯片自产计划濒临流产,台积电的先进制程量产进度,可谓顺风顺水,“一骑绝尘”。

2019年年报显示,台积电全年为499个客户生产10761种不同的芯片,在半导体制造领域市场占有率达52%。而据拓扑产业研究院整理的2020年上半年全球前大晶圆代工营收排名数据,台积电的营收更是超过2-9名代工营收的总和。

特别声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作风险自担。
相关新闻
抄底成功