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【电报解读】武汉新芯新一代SPI NOR Flash芯片已全线量产,技术达到国际先进水平
【武汉新芯50纳米代码型闪存芯片量产】《科创板日报》5日讯,武汉新芯集成电路制造有限公司日前透露,其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存(SPI NOR Flash)芯片已全线量产。在全球NOR Flash存储芯片领域,业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术,已逼近此类芯片的物理极限,无论是存储单元面积还是存储密度,均达到国际先进水平。
武汉新芯新一代NOR Flash芯片技术达国际先进水平,A股还有这家公司相关产品份额已升至全球第四。
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