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11:22:53【武汉新芯50纳米代码型闪存芯片量产】
《科创板日报》5日讯,武汉新芯集成电路制造有限公司日前透露,其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存(SPI NOR Flash)芯片已全线量产。在全球NOR Flash存储芯片领域,业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术,已逼近此类芯片的物理极限,无论是存储单元面积还是存储密度,均达到国际先进水平。
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
半导体芯片 存储芯片
2020-06-05 11:22:53 6742172 阅读
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