财联社
财经通讯社
打开APP
【电报解读】长鑫科技基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证,机构称国内存储厂商有望充分受益于新一轮存储景气周期,这家公司主要从事数据中心企业级SSD产品的研发
【长鑫科技:基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证】财联社10月31日电,长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会中透露,在4F²垂直沟道DRAM(动态随机存取存储器)架构取得关键突破的基础之上,第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F²架构进展,此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。按照产业实践,工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期,在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。 (澎湃新闻)
长鑫科技基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证,机构称国内存储厂商有望充分受益于新一轮存储景气周期,这家公司主要从事数据中心企业级SSD产品的研发,另一家有销售存储芯片产品。
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
商务合作
相关阅读
热门解锁
立即订阅