财联社
财经通讯社
打开APP
06:49:44【掺硅氧化铝镓薄膜导电带隙刷新纪录】
财联社10月28日电,更宽带隙的半导体,能让电子产品更小、更高效,也能承受更高电压。但带隙越宽,材料导电性就越难控制。美国康奈尔大学领导的研究团队证明,在氧化铝镓薄膜中掺入硅,可在比以往任何半导体带隙都宽的情况下,依然保持稳定的导电调控能力。相关论文发表于新一期《自然》杂志。
环球市场情报 半导体芯片
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2026-10-28 06:49:44 1261942 阅读
商务合作
热门解锁
相关阅读
评论
热度
最新
发送
复制
取消
垃圾广告
政治激进内容
色情低俗内容
取消