《科创板日报》27日讯，台积电SRAM微缩技术传在停滞约8年后有望迎来突破。自2020年N5（5纳米）工艺量产以来，其高密度6T SRAM存储单元的面积一直停留在约0.021平方微米，之后的N3、N2节点虽然在逻辑晶体管上持续迭代，存储单元尺寸却几乎原地踏步。这一局面有望随着A14节点的到来被打破：台积电计划在2028年量产的A14工艺上，将高密度6T SRAM位单元面积缩小至0.017平方微米以下，降幅超过19%。 （台湾电子时报）