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07:54:16【三星据悉将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片】
财联社10月19日电,据报道,三星电子计划采用台积电的3纳米工艺生产英伟达的下一代定制高带宽内存(HBM)基底裸片。据悉,英伟达希望供应商统一制造工艺以确保性能的一致性,已要求三星、SK海力士和美光在NVHBM的基底裸片生产中采用台积电的3纳米工艺。此举标志着三星将首次在HBM制造阶段与台积电展开合作。
台积电 HBM
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2026-10-19 07:54:16 2416686 阅读
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