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19:27:48【SK海力士推出3D FeNAND技术】
《科创板日报》15日讯,SK海力士现已公布3D FeNAND实现模拟存内计算(Analog Compute-in-Memory,A-CiM)的研究成果,相关研究已发表于IEEE论文。据介绍,A-CiM可利用模拟信号直接在存储器执行乘积累加运算,减少数据搬运、提升处理速度和能效。SK海力士表示,FeNAND可在单个存储单元内产生多种电流状态,适合AI计算所需的权重数据。 (TheElec)
半导体芯片
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2026-10-15 19:27:48 316849 阅读
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