《科创板日报》24日讯，三星电子修改了其下一代DRAM开发战略。据报道，该公司最近将之前作为项目开发的“B1b”技术纳入其正式路线图，并将其命名为“D0a”，这是首款10纳米以下（nm）的DRAM。最初，三星电子的D0a工艺指的是垂直晶体管（VCT）DRAM。后来，VCT DRAM被归类到单独的“D0a-V”工艺中。 三星电子更改D0a名称的原因是为了加速将最先进的封装技术引入通用DRAM。B1b指的是一种通过晶圆间（W2W）混合键合来提高内部集成密度的技术。