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12:59:05【消息称1c nm有望2027年初成为SK海力士主流工艺】
《科创板日报》7日讯,SK海力士正在迅速扩大其第六代10nm级DRAM工艺1c nm产能份额。由于1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM,并应用于下一代高带宽内存,该公司正在加速其工艺转型。据业内人士透露,SK海力士1c DRAM的市场份额从今年第一季度的约10%增长到第二季度的13%左右,预计第三季度将升至24%左右,第四季度将达到34%左右。明年第一季度,1c nm的市场份额有望攀升至35%左右,首次超过1b(33%左右),成为主流工艺。 (ChosunBiz)
半导体芯片
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2026-09-07 12:59:05 1251376 阅读
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