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13:18:53【三星正为英伟达开发8层HBM4E】
《科创板日报》31日讯,据报道,三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器(HBM4E),较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度,英伟达提出的速度规格为17-18Gbps,较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%,该产品据悉将用于NVHBM。 (首尔经济日报)
HBM 存储器
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2026-08-31 13:18:53 833919 阅读
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