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消息称三星电子目标今年9月率先完成1d nm DRAM内存研发
《科创板日报》19日讯,近日,据业内人士透露,三星电子目标2026年9月率先完成1d nm DRAM内存研发,2026年12月进入量产转移阶段,2027年上半年启动生产线建设,有望2027年底实现首批量产。 (TheBell)
半导体芯片
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