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11:23:42【高盛顶级专家解读内存多空争论:涨价持续至2027年中 涨势却在放缓】
财联社8月11日电,高盛顶级科技专家Sean Johnstone在一份报告中指出, 市场正在争论内存价格的上涨空间。多头一派认为,HBM和DRAM订单已排期到2027年,长期协议设定了价格底线,这代表着内存仍有70%至80%的利润空间。空头则分析称,内存价格的“二阶导数”已经转负,意味着内存上涨的速度放缓,可能在明年第二季度或者第三季度达到峰值,并在晚些时候转向小幅下跌。此外,内存行业高达80%的利润率正在促使客户重新设计其芯片,这可能影响内存的供需平衡。
TMT行业观察 半导体芯片 HBM
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
高盛顶级专家解读内存多空争论:涨价持续至2027年中 涨势却在放缓
2026-08-11 11:23:42 1323509 阅读
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