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【电报解读】SK海力士确认V10 NAND将导入晶圆键合技术,机构测算随着混合键合技术在HBM等领域加速应用,2030年相关设备市场规模有望达到100亿元,这家公司正布局用于半导体存储器产品的测试设备
【SK海力士确认V10 NAND闪存为375层堆叠 导入晶圆键合技术】《科创板日报》7日讯,SK海力士在其FMS 2026峰会新闻稿中确认,其继321层V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品V10采用375层堆叠设计。这也是SK海力士首款采用晶圆键合技术的NAND产品。SK海力士宣称V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能,专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。SK海力士计划2027年上半年量产基于V10 NAND的企业级固态硬盘。
首款采用!SK海力士确认V10 NAND将导入晶圆键合技术,机构测算随着混合键合技术在AI逻辑芯片、HBM等领域加速应用,2030年相关设备市场规模有望达到100亿元,这家公司正在布局用于半导体存储器产品的测试设备,另一家混合键合设备相关收入占总营收的比重约为2%。

往期回顾:《电报解读》近期重点聚焦AI全产业链,包含算力租赁、GPU、先进封装、CPO、等热门方向;同时覆盖医药CDMO、GLP-1医药细分赛道,相关标的涨幅突出:

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