财联社
财经通讯社
打开APP
19:02:18【SK海力士确认V10 NAND闪存为375层堆叠 导入晶圆键合技术】
《科创板日报》7日讯,SK海力士在其FMS 2026峰会新闻稿中确认,其继321层V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品V10采用375层堆叠设计。这也是SK海力士首款采用晶圆键合技术的NAND产品。SK海力士宣称V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能,专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。SK海力士计划2027年上半年量产基于V10 NAND的企业级固态硬盘。
半导体芯片
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
【电报解读】SK海力士确认V10 NAND将导入晶圆键合技术,机构测算随着混合键合技术在HBM等领域加速应用,2030年相关设备市场规模有望达到100亿元,这家公司正布局用于半导体存储器产品的测试设备
2026-08-07 19:02:18 3212047 阅读
商务合作
热门解锁
相关阅读
评论
热度
最新
发送
复制
取消
垃圾广告
政治激进内容
色情低俗内容
取消