打开APP
×
19:02
SK海力士确认V10 NAND闪存为375层堆叠 导入晶圆键合技术
《科创板日报》7日讯,SK海力士在其FMS 2026峰会新闻稿中确认,其继321层V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品V10采用375层堆叠设计。这也是SK海力士首款采用晶圆键合技术的NAND产品。SK海力士宣称V10 NAND实现了上代产品2.5倍的每瓦性能,专为需要兼顾能效和性能的AI基础设施环境而优化。SK海力士计划2027年上半年量产基于V10 NAND的企业级固态硬盘。
半导体芯片
阅读 17957
特别声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作风险自担。
相关企业家
联系Ta
联系企业家
为保护双方个人信息请联系您的专属助理进行接洽
我再想想
点击复制
复制成功,请去微信添加