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【风口研报·公司】三星公布全新3D内存路线图,对该环节需求量和性能要求呈指数级增长,公司核心工艺可助力3DNAND扩产,有望充分享受这波存储大周期
三星公布全新3D内存路线图,有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度。分析师认为,随着3D堆叠存储的发展,DRAM未来亦向3DDRAM发展,对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长,公司作为国内设备龙头,有望充分享受这波存储扩产大周期。
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