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【电报解读】三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺,机构测算HBM存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍,这家公司产品已通过国内主要半导体存储器件厂商验证并取得了批量销售业绩
【三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺 速度较HBM4E提升50%以上】财联社7月27日电,三星电子27日发布对公司半导体事业部技术开发室长具子铉的采访。具子铉表示,预计下一代HBM5内存的运行速度将比HBM4E快50%以上,“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺,并实现更高集成度的硅通孔(TSV)”。具子铉称,三星电子将基于在4纳米HBM4基础芯片上获得的经验和技术竞争力,提前在HBM5中引入2纳米工艺,并拓展与移动、HBM、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作,引领半导体生态系统进一步发展壮大。
三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺,机构测算HBM存储测试机需求约为传统DRAM的5–6倍,这家公司产品已通过国内主要半导体存储器件厂商验证并取得了批量销售业绩,另一家应用于存储芯片测试的探针台正处于客户端验证阶段。

往期回顾:7月24日18:56《电报解读》梳理机构龙虎榜数据并覆盖“顺钠股份”,发文指出:顺钠股份深耕干式变压器领域,参与行业标准制定,产品品类丰富、销量可观,多领域项目经验充足,业务覆盖多国。受益全球能源转型,公司依托团队与合作优势拓展海外市场、抢抓一带一路机遇。同时前瞻研发适配AI算力、大型数据中心的供电产品,完善高端算力供电方案。顺纳股份在7月27日涨停。

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