《科创板日报》7月15日讯（编辑 宋子乔） 当地时间7月14日，硅光代工大厂高塔半导体（Tower Semiconductor）宣布，将投资30亿美元加强在日本的芯片制造，其中包括来自日本政府的10亿美元拨款，用来扩大300mm（12英寸）硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）和先进封装产能。

此外，基于扩产计划，高塔半导体同时上调了其2028年的财务目标，预计该年营收将达到36亿美元（高于市场普遍预期的31.7亿美元，该公司2025年营收为16亿美元），净利润将达到12亿美元（该公司2025年净利润为2.2亿美元）。

消息发布后，高塔半导体（TSEM.US）股价当日（美股周二）收涨11.24%，盘中一度飙涨19%，年内累计暴涨117.59%，现报255.49美元。

据该公司公告，30亿美元的扩产计划分两条线进行，聚焦300mm产品和先进封装：

第一部分将大幅增加300mm硅光子器件产能，预计将于2027年四季度全面投产。该阶段包括对原Fab 6工厂（位于荒井）进行改造，加码300mm硅光子器件产能和先进封装产能，从而最大限度地利用公司位于鱼津的Fab 7工厂的300mm产能。

第二部分将与第一部分同步启动，包括在Fab 7工厂旁新建一座300mm晶圆制造厂，相关协议的签署和交割完成后即可投入使用。该工厂预计将使硅光子学和硅锗的产能成倍增长，从而使高塔半导体能够更好地满足客户对新兴人工智能和数据中心应用日益增长的需求，并推动下一代光连接技术的发展。

高塔半导体预计，上述计划将自2028年改善公司的盈利，新设施将从2029年开始带来巨大的收益。

高塔半导体是专注特色工艺的晶圆代工厂，主营硅光子、硅锗、射频、图像传感器等模拟特种芯片代工。2014年其与松下合资成立TPSCo，控股收购原松下半导体制造业务，接手日本8/12英寸晶圆厂，继承其图像传感、射频工艺产能，强化了硅光、SiGe光电工艺量产能力，成为全球硅光流片的核心代工厂，英伟达为其客户。

该公司目前在以色列拥有一座运营工厂（200mm），在美国拥有两座工厂（200mm），在日本拥有两座工厂（200mm和300mm）。此外，该公司还与意法半导体共同拥有位于意大利阿格拉特的一座300mm工厂。

随着AI对光模块的需求不断增加，该公司正积极扩产。

2026年初，高塔半导体抛出6.5亿美元的资本开支计划，在2月份举行的2025年第四季度财报说明会上，该公司宣布追加2.7亿美元，合计9.2亿美元，将投向硅光设备采购，计划2026年底完成全部设备进场认证，以便2027年硅片出货量达2025年Q4月出货量5倍以上。

追加资本开支的同时，高塔半导体透露，超过70%的新增产能已被客户锁单至2028年。

5月，高塔半导体宣布与其最大的硅光客户签订2027年硅光晶圆长期协议，订单金额高达13亿美元，已收到2.9亿美元预付款；客户已承诺在2028年下更大的订单，并将在2027年1月之前支付更多预付款。

申万宏源此前发布研报称，预计到2027年，全球AI数通领域新投产AI芯片对400G以上光模块/光引擎需求量将迈向1.55亿支，对应的市场规模将超过700亿美元。光芯片技术主要为EML转硅光、互联速率提升、CPO/NPO三大方向。该行聚焦技术壁垒最高+价值量占比潜在提升环节：模拟电芯片、硅光设计制造平台、光芯片等。其中，高塔半导体、台积电、格芯作为硅光设计制造平台核心公司有望受益。

浙商证券表示，硅光与TFLN率先商用者有望抢占下一代技术先机随着光模块速率向1.6T及以上演进，传统VCSEL逐步让位，硅光凭借CMOS兼容和成本优势渗透率快速提升，LightCounting在2026年6月发布的报告中指出，2026年基于硅光的光模块销售额将首次超过整体市场的50%；TFLN在3.2T以上超高速调制中性能突出，2026年进入产业化元年。率先完成硅光芯片设计流片、TFLN器件量产及先进封装配套的企业，有望获得先发优势。