①7月11日特朗普发文称伊朗要求继续美伊会谈,美方已同意,同时明确此前停火协议已结束;
②伊朗外交部称从未提出美伊谈判诉求,但同意调解方访问伊朗,指责美方违反协议、重施石油制裁。
财联社7月11日讯(编辑 刘蕊)据DigiTimes周五发布的一份报告,行业消息人士指出,受到人工智能需求激增与产能结构性瓶颈的双重推动,高带宽内存(HBM)的价格到2027年有望翻倍。
行业消息人士称,下一代HBM4的价格可能从2026年下半年约2美元/千兆比特飙升至4至5美元甚至更高。
这一方面是因为HBM4制造过程的极端复杂性:其生产周期长达四到六个月,且初始良率显著偏低;另一方面,HBM的生产耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍,严重限制了制造商在现有设施中可生产的总内存量。
进一步加剧供应紧张局面的是,当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议,锁定全球内存供应。
据DigiTimes预测,到2027年,全球DRAM总产能中约有一半将完全无法提供给小型买家。
尽管英伟达即将推出的Rubin架构正在加速HBM4的开发进程,但内存厂商也正面临一个意外的经济权衡:标准服务器内存市场表现强劲。
今年,部分供应商的DDR5利润率已突破80%,迫使芯片制造商不得不要求更高的HBM定价,以证明从传统DRAM生产线转移的合理性。
在华尔街,这种结构性的紧缩供应叙事预计将继续成为关键存储芯片股票的强大催化剂。
本周五,SK海力士通过美国存托凭证(ADR)在美股市场首次亮相,创下历史纪录的265亿美元发行规模,其价格较首尔本地股价存在显著溢价,显示出人工智能存储领域巨量交易的强劲延续态势。
尽管近期市场担忧科技巨头可能削减基础设施支出,但据供应链渠道消息称,到2027年,人工智能硬件仍面临根本性的供应不足。
因此,预计到2026年底,在合同谈判中芯片供应商将保持绝对的价格优势,使尚未签约的消费电子制造商面临严重的供应短缺风险。