财联社
财经通讯社
打开APP
13:44:12【三菱化学与日本制钢所计划扩产氮化镓 产能扩充幅度50%】
《科创板日报》8日讯,三菱化学和日本制钢所(JSW)计划,到2027年扩充用于下一代功率半导体衬底的氮化镓(GaN)产能,较2026年提高50%。据悉,三菱化学正与JSW合作研发功率半导体用GaN衬底,目前三菱化学/JSW 4英寸衬底仍处于客户验证阶段。随着需求增加,双方决定进一步扩增产能,且目标在2026年度开始提供6英寸、2028年度提供8英寸衬底样品。
半导体芯片 第三代半导体
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2026-07-08 13:44:12 1093024 阅读
商务合作
热门解锁
相关阅读
评论
热度
最新
发送
复制
取消
垃圾广告
政治激进内容
色情低俗内容
取消