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【电报解读】三星HBM4E良率突破70%,第七代AI内存开发进入稳定阶段!机构称全球HBM3E/HBM4产能已被英伟达及云厂商预订至2027年Q1,供需缺口高达55%,这家公司可支持HBM良率提升需求
【三星HBM4E良率突破70% 第七代AI内存开发进入稳定阶段】财联社7月1日电,三星电子首席技术官兼半导体研究所所长于6月30日在DS(器件解决方案)部门内部经营说明会上表示,HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。业界通常将80%以上视为工艺稳定的"成熟良率"门槛,而HBM4E目前仍处于可靠性测试阶段,70%以上的水平被认为标志着开发进程正式进入稳定区间。与此同时,他在同一场合透露,下一代10纳米级第七代DRAM工艺(D1d)在技术竞争力上已取得对竞争对手的优势,并计划于今年11月完成生产准备认证(PRA)。
三星HBM4E良率突破70%,第七代AI内存开发进入稳定阶段!机构称全球HBM3E/HBM4产能已被英伟达及云厂商预订至2027年Q1,行业供需缺口高达50%-60%,这家公司可支持HBM良率提升需求,另一家有HBM相关封装技术。

往期回顾:6月29日07:42《电报解读》追踪到“聚和材料”互动易线索,随后展开解读:空白掩膜版为光刻核心母材,直接决定芯片制程良率;公司产品已通过SK海力士等海内外客户量产验证并出货,采用韩产先行验证、国内产能承接替代策略,对接多家国内晶圆厂,收购整合后经半年验证即可落地国产产线,充分受益半导体材料国产替代浪潮。聚和材料2日最高涨30.23%。

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