东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET

打开APP

12:43 东芝推出采用最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET

财联社6月30日电，东芝电子元件及存储装置株式会社6月30日宣布，推出采用东芝最新一代工艺U-MOS11-H制造的80V N沟道功率MOSFET——TPM1R408RH。该MOSFET面向AI数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品即日起开始出货。

阅读 53841

特别声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议。投资者据此操作风险自担。