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15:25 闪迪新专利:将NAND闪存堆叠在计算芯片下方 破解存储瓶颈
《科创板日报》22日讯,近日,闪迪披露的一项专利显示,其正探索将NAND闪存与计算单元堆叠在单芯片封装中的方案,以缓解当前HBM供应紧张、容量受限及延迟等问题,其核心思路是在主计算芯片下方集成基于CBA技术的NAND存储单元,该计算芯片可以是GPU或AI处理器,同时在同一中介层上继续配置HBM堆栈。这种方案试图结合HBM的高带宽与NAND的大容量、低成本优势,并通过更宽的连接方式改善数据传输效率,同时降低成本和功耗压力。
半导体芯片 存储芯片
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