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09:26:43【英特尔:Intel 18A-P制程已进入风险试产阶段】
《科创板日报》17日讯,在2026年VLSI(超大规模集成电路)国际研讨会上,英特尔代工部门介绍,Intel 18A-P作为Intel 18A系列的首个性能增强版本,现已进入风险试产阶段。借助Intel 18A制程节点,经将全环绕栅极(GAA)晶体管和背面供电(BSPD)技术推向市场。此外,英特尔代工还介绍了未来芯片微缩相关领域的研究进展:在互补场效应晶体管(CFET)方面,英特尔展示了单片式CFET反相器,其NMOS与PMOS器件垂直堆叠,栅极间距为45nm;英特尔展示了300mm晶圆上的单片集成技术,将氮化镓功率器件与硅基逻辑(包括一个约1,000个逻辑门的数字控制模块)集成在一起;英特尔还展示了采用空气间隙集成的减成法钌互连技术,与铜互连相比,电容降低高达约35%,且频率提升显著。 (科创板日报记者 黄心怡)
半导体芯片 第三代半导体 英特尔 SPD
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2026-06-17 09:26:43 2507571 阅读
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