财联社6月1日电，高盛5月31日发布研究观点预计，到2027年，传统DRAM、NAND和HBM的供需状况都将较2026年更为紧张，且这种紧张态势将持续至2028年，这将有助于存储器企业在未来数年内实现更高的盈利水平。该机构认为市场尚未充分认识到当前存储器行业上行周期的持久性，大多数存储器股票的市盈率仍低至中个位数水平便是明证。高盛在研究报告中重点指出三点。其一，需求前景更为明朗，服务器和人工智能设备配置比例显著提升且代理型AI应用持续扩展；其二，因产能扩张步伐放缓且HBM交易占比更高，供应增长受限；其三，客户通过长期协议作出更明确承诺，并实施更高效的资本支出规划。以上因素将推动需求持续超越供给，从而形成更长的上升周期。机构甚至预期，即便到2028年，DRAM/NAND/HBM市场仍将面临供应短缺。

基于对行业供需趋紧的判断，高盛上调了对存储芯片制造商DRAM、NAND及HBM产品的定价预期。预计三星电子的传统DRAM平均销售价格在2026财年和2027财年将分别同比增长326%和27%，NANDASP则分别增长283%和33%；同时坚持看涨观点：HBMASP相较于传统DRAM实现“追赶"效应，有望推动其在2027财年实现约50%的同比增幅，并分别带动2026财年、2027财年及2028财年的HBM市场总规模达到560亿美元、1160亿美元和1680亿美元。