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英诺赛科胜诉:ITC终裁确认可继续在美进口和销售GaN功率器件 未侵犯英飞凌的相关专利
财联社5月8日电,英诺赛科宣布,美国国际贸易委员会(“ITC”)在第337‑TA‑1414号调查中作出最终裁定,确认英诺赛科当前的氮化镓(“GaN”)功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利,并可不受限制地继续在美国进口和销售。
第三代半导体
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