《科创板日报》15日讯，三星电子第六代高带宽内存（HBM4）的良率仍低于60%，该公司计划在今年下半年将HBM4 DRAM的良率提升至接近完工的水平，以加快对包括英伟达在内的主要人工智能客户的响应速度。另一方面，三星电子的1c DRAM良率已超过80%，达到所谓的“成熟良率”。 (ChosunBiz)