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15:13:09【三星电子开始量产236层NAND闪存】
《科创板日报》30日讯,三星电子已完成西安工厂工艺升级的第一阶段,逐步淘汰了传统的128层(V6)NAND闪存,并已开始量产236层(V8)产品。目前,三星电子正在筹划进一步的升级,预计将于今年完成向286层(V9)NAND闪存的过渡。 (ETNews)
半导体芯片 存储芯片
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2026-03-30 15:13:09 763469 阅读
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