财联社3月19日讯（编辑 刘蕊）美东时间3月18日，美光科技发布 2026 财年第二季度财报，交出了一份创下多项历史纪录的亮眼成绩单。

美光高管在财报电话会上表示，受AI需求持续爆发、业内存储产品供应紧张以及公司先进技术量产落地的多重利好推动，美光第二财季营收、毛利率、自由现金流等核心财务指标均刷新历史峰值，各产品线、各业务板块全面开花，同时公司发布的第三季度业绩指引再度大幅超预期。

美光高管还提到，当前存储芯片行业处于供应短缺状态，且这种状况将持续至2026年以后，这为短期和中期的产品定价提供了坚实支撑。在旺盛需求驱动下，美光签署了首份五年期战略客户协议。

高管透露，美光专为英伟达 Vera Rubin 设计的HBM4 已批量出货，下一代产品HBM4E 研发顺利，有望2027年量产。同时，为了满足客户的强劲需求，美光将在未来两个财年内大幅加码资本支出，以兴建厂房和购买设备，从而提振产能。

一、核心产品线业绩

1.DRAM：营收 188 亿美元，同比 + 207%、环比 + 74%；定价环比涨 65%-67%，位出货量中个位数增长，1γ DRAM 量产速度创公司历史最快，2026 年年中将成量产主力。

2.NAND：营收 50 亿美元，同比 + 169%、环比 + 82%；定价环比涨 75%-79%，位出货量低个位数增长；G9 NAND 按计划推进，2026 年年中将成量产主力，数据中心 NAND 营收环比翻倍创纪录。

3.高端产品：HBM4 已批量出货（专为英伟达 Vera Rubin 设计），HBM4E 研发顺利，2027 年量产；基于 G9 NAND 的 PCIe Gen6 SSD 实现高量产，122TB 大容量 SSD 市场认可度高。

二、行业与市场展望

1.供需格局：DRAM/NAND 供应紧张将持续至 2026 年后，2026 年行业 DRAM 位出货量低 20% 左右增长、NAND 约 20% 增长，美光供应增速与行业持平；核心客户需求满足率仅 50%-2/3。

2.AI 核心影响：2026 年 AI 将推动数据中心 DRAM/NAND 位 TAM 首超行业 50%；AI 服务器需求强劲，2026 年服务器整机出货量低双位数增长，DRAM 搭载容量持续提升。

3.终端市场：2026 年 PC / 智能手机整机出货或低双位数下滑，但 AI 驱动存储内容大幅增长（旗舰手机 12GB+ DRAM 占比从 20% 升至 80%，AI PC 推荐 32GB + 配置）。

4.新兴赛道：机器人行业迎 20 年增长周期，人形机器人存储需求媲美 L4 自动驾驶汽车，成新增长极。

三、战略布局与产能扩张

1.客户合作：签署首份 5 年战略客户协议（SCA），替代传统 1 年期 LTA，含明确产能 / 供应承诺，与多家客户洽谈中，深化研发与路线图协同。

2.技术研发：2027 财年将大幅增加研发投入；1δ DRAM 将扩大 EUV 应用，研发与量产协同布局加快产品上市。

3.全球产能：收购力晶铜锣厂区并计划建第二座洁净室（2028 财年出货）；爱达荷、纽约、日本广岛产能建设推进，新加坡新建 NAND 晶圆厂（2028 年量产）；印度封装测试厂已商业出货，新加坡 HBM 先进封装厂 2027 年贡献供应。

以下为美光财报会文字记录（AI辅助翻译，部分内容有删减）

日期：2026 年 3 月 18 日（周三），美国东部时间下午 4:30

参会人员：

首席执行官：桑杰・梅赫罗特拉

首席财务官：马克・墨菲

桑杰・梅赫罗特拉：本财年第二季度，公司营收、毛利率、每股收益和自由现金流均创辉煌历史新高。美光科技交出了一份亮眼的财报，季度营收较去年同期近乎三倍增长，DRAM、NAND、高带宽存储器（HBM）及各业务部营收均刷新历史纪录。

我们发布的 2026 财年第三季度单季度营收指引，已超过公司 2024 财年及之前所有财年的全年营收。预计 2026 财年第三季度，公司营收、毛利率、每股收益和自由现金流将实现跨越式增长。基于对公司业务持续强劲发展的信心，我很高兴宣布，董事会已批准将季度股息上调 30%。

公司业绩的大幅提升以及乐观的业绩展望，源于人工智能驱动的存储需求增长、行业结构性供应约束，以及美光科技全方位的出色运营表现。我们的存储解决方案是这场人工智能革命的核心支撑。存储技术让人工智能更智能、功能更强大，助力实现更长的上下文窗口、更深度的推理链以及多智能体协同调度。随着人工智能技术的不断演进，我们预计计算架构将朝着更依赖存储的方向发展。这也是我们坚信美光科技将成为人工智能领域最大受益者和赋能者之一的原因。人工智能不仅带来了存储需求的增长，更从根本上重塑了存储的价值，使其成为人工智能时代的核心战略资产。

我们持续与客户洽谈并推进战略客户协议（SCA）的签订，该协议与此前的长期协议（LTA）存在本质区别，协议包含多年期的明确承诺，有助于提升公司业务模式的可见性和稳定性。这些协议也能让客户更清晰地规划自身业务，同时深化双方在全产品线领域的长期合作。我们非常欣喜地宣布，公司已签署首份五年期战略客户协议。公司行业领先的 1γ 制程 DRAM 和第九代 NAND 闪存技术节点的量产推进工作进展顺利，预计 1γ 制程 DRAM 将成为美光科技历史上量产规模最大的技术节点。

我们的 1γ DRAM （第六代10纳米级DRAM ）不仅实现了历史最快的良率爬坡速度，量产规模扩张速度也远超公司此前所有技术节点，按计划将在 2026 年年中成为公司 DRAM 位出货的主力产品。我们计划在 1δ DRAM（第七代10纳米级DRAM）节点进一步扩大极紫外光刻（EUV）技术的应用，采用最新一代极紫外光刻设备。这些更先进的设备将帮助我们在 1δ 制程及后续更先进制程的升级中，优化洁净室空间利用率和光刻图案精度。

在 NAND 闪存领域，第九代技术节点也按计划推进，预计 2026 年年中成为公司 NAND 位出货的主力产品。本季度，公司四级单元（QLC）闪存的出货占比也创历史新高。

展望未来，公司计划将研发中心与高量产晶圆厂在博伊西和新加坡基地进行协同布局，加快前沿产品的上市速度。我们看到，在人工智能时代，存储领域在各市场板块均迎来前所未有的发展机遇，因此计划在 2027 财年大幅增加研发投入。

美光科技的技术领先性、产品竞争力和制造运营能力，也得到了客户质量评分的认可。我很高兴地向大家汇报，绝大多数客户将美光科技评为质量第一的存储供应商。接下来，我介绍一下公司各终端市场的表现。

2026 年，人工智能需求将推动数据中心领域 DRAM 和 NAND 的位市场总规模首次占行业整体位市场总规模的 50% 以上。受生成式人工智能相关工作负载需求以及服务器全面升级的双重驱动，传统服务器市场需求保持强劲。人工智能服务器需求依旧旺盛，而人工智能和传统服务器的需求均因 DRAM 和 NAND 供应不足受到制约。预计 2026 年，受人工智能服务器和传统服务器双增长驱动，服务器整机出货量将实现低双位数增长。随着新平台的推出，2026 年服务器的 DRAM 搭载容量将持续提升。

在英伟达 GPU 技术大会（GTC）上，我们宣布美光科技已于 2026 年实现 36GB 12 层堆叠的 HBM4 批量出货，该产品专为英伟达Vera Rubin芯片设计。随着 HBM4 量产爬坡和批量出货的推进，我们预计其良率达到成熟水平的速度将远超 HBM3E。同时，我们已推出 48GB 16 层堆叠的 HBM4 样品，相较于 12 层堆叠的 HBM4，容量提升 33%。公司下一代高带宽存储器 HBM4E 的研发工作进展顺利，预计 2026 年实现批量量产。

我们的 HBM4E 将基于美光科技经量产验证的、行业领先的 1γ 制程 DRAM 技术打造，性能将实现跨越式提升，为行业新一代人工智能计算平台提供核心支撑。此外，HBM4D 的定制化选项将为我们带来更多差异化竞争优势，也将推动我们与客户开展更深度的研发合作。

美光科技率先为数据中心研发出低功耗 DRAM（LPDRAM），其功耗仅为数据中心 DDR DRAM 服务器模组的三分之一。依托这一技术领先性，我们推出了行业首款基于 1γ 制程的 256GB 低功耗系统级芯片存储模组（LP SoC-M2），每个中央处理器（CPU）可支持高达 2TB 的存储容量，较一年前提升四倍。

我们预计未来几年，低功耗 DRAM 在数据中心的应用将持续扩大，公司也将继续在该市场保持行业领先的创新产品路线图。人工智能的快速发展，推动了针对特定工作负载TOKEN经济优化的新型计算架构的出现。美光科技丰富的产品组合，包括高带宽存储器（HBM）、低功耗存储器（LP）、双倍数据率存储器（DDR）和固态硬盘（SSD），是这些新型架构落地的核心支撑。在本次 GPU 技术大会上，英伟达发布的 Grok 3 LPX 模型在机架级架构中搭载了高达 12TB 的 DDR5 存储器。

受向量数据库、键值缓存卸载等人工智能应用场景，以及固态硬盘在容量存储层占比持续提升等因素驱动，数据中心领域的 NAND 闪存需求正加速增长。依托技术领先性和垂直整合优势，美光科技的数中心固态硬盘产品组合实现了从极致性能到超大容量的全面覆盖。目前，基于第九代 NAND 闪存的 PCIe Gen6 高性能数据中心固态硬盘已实现大规模量产。我们的 122TB 超大容量固态硬盘获得市场高度认可，其单位功耗的连续读取吞吐量是同容量机械硬盘（HDD）的 16 倍。公司的战略布局和运营执行正持续转化为业绩成果。

2025 年，公司数据中心固态硬盘的市场份额连续第四个日历年实现增长，创历史新高。2026 财年第二季度，数据中心 NAND 闪存营收环比翻倍，创历史新高，预计下一季度将继续增长。美光科技的数中心固态硬盘产品组合处于行业领先水平，已在客户群体中斩获大量设计订单。可预见未来，公司 NAND 闪存的需求将大幅超过现有供应能力。

2026 年，受 DRAM 和 NAND 供应短缺等多重因素影响，个人电脑和智能手机的整机出货量或出现低双位数下滑。但长期来看，终端侧人工智能的商业价值将推动个人电脑和智能手机的存储搭载容量持续大幅增长。在个人电脑领域，生成式人工智能应用近期迎来创新爆发，例如 OpenClaw，其人工智能智能体可在本地电脑独立完成任务，也可向云端发起工作负载请求。搭载终端侧生成式人工智能功能的个人电脑，推荐存储配置至少为 32GB，是普通个人电脑的两倍。此外，个人人工智能工作站这一新兴品类增长迅猛，例如英伟达 DGX Spark 和超威锐龙 AI Halo，均搭载 128GB 存储配置，非常适合在本地运行大语言模型。

在智能手机领域，手机厂商近期发布了多款集成生成式人工智能功能的旗舰机型，例如三星 Galaxy S26 和谷歌 Pixel 10，其移动操作系统均内置人工智能功能。2026 年第四季度，搭载 12GB 及以上 DRAM 的旗舰智能手机占比攀升至近 80%，而一年前这一比例不足 20%。依托行业领先的产品组合，美光科技已做好充分准备，把握这一市场机遇。

在个人电脑领域，公司已完成低功耗计算机存储模组 2（LPCAM2）在某主流厂商的认证。在固态硬盘领域，我们推出了行业首款基于第九代 NAND 闪存的第五代客户端四级单元（QLC）固态硬盘。

美光科技的低功耗双倍数据率 5X 存储器（LPDDR5X）已成功导入主流个人人工智能工作站，扩大了公司的目标市场，目前已向核心客户实现大批量出货。在智能手机领域，基于 1γ 制程的低功耗双倍数据率 6 存储器（LPDDR6）样品获得了手机厂商和生态合作伙伴的高度关注与积极反馈。公司的 10.7 Gbps 1γ 制程 LPDDR5X 16Gb 产品已完成更多厂商认证并实现量产，市场势头持续攀升。汽车、工业和嵌入式市场的产品定价持续走高，汽车与嵌入式业务部（AEBU）营收创历史新高，其中汽车和工业业务合计营收在本季度突破 20 亿美元。

在汽车领域，汽车厂商正加速在全系车型中部署 L2 + 级高级驾驶辅助系统（ADAS）。目前，普通汽车的自动驾驶级别多低于 L2，DRAM 搭载容量约 16GB；而具备 L4 级自动驾驶能力的汽车，DRAM 搭载容量需超过 300GB。随着更先进的高级驾驶辅助系统和智能座舱的普及，我们预计汽车存储需求将迎来长期强劲增长。公司推出了行业首款车规级 1γ 制程 LPDDR5 DRAM 样品；在 NAND 闪存领域，我们率先推出基于第九代 NAND 闪存的车规级通用闪存存储 4.1（UFS 4.1）解决方案，进一步巩固了公司在该市场的技术领先地位。

人工智能技术的快速迭代，正大幅提升机器人的功能性能。我们认为，机器人行业即将迎来为期 20 年的增长周期，未来有望成为科技领域最大的产品品类之一。人形机器人将搭载人工智能系统，其计算平台的性能可与高端 L4 级自动驾驶汽车媲美，因此需要超大容量的存储和内存支撑。我们预计，这一极具潜力的新兴增长品类将进一步夯实存储行业长期向好的发展格局。依托行业领先的技术、产品解决方案和运营能力，以及与客户的紧密合作，美光科技已做好充分准备，把握机器人领域的发展机遇。

接下来，我介绍一下市场展望。预计 2026 年，行业 DRAM 和 NAND 的位需求将持续受供应制约，且这种供应紧张的状况将持续至 2026 年以后。预计 2026 年，行业 DRAM 位出货量将实现低 20% 左右的增长，略高于我们此前的预期。在 DRAM 领域，洁净室产能受限、厂房建设周期长、高带宽存储器（HBM）贸易比提升、HBM 需求增速加快，以及制程节点升级带来的晶圆单位位产出增长放缓等因素，共同制约了位供应的增长。预计 2026 年，行业 NAND 位出货量将增长约 20%。在 NAND 领域，部分行业供应商将洁净室产能转向 DRAM 生产，叠加整体洁净室产能不足，制约了 NAND 位供应的增长。预计 2026 年，美光科技的 DRAM 和 NAND 位供应增速将与行业平均水平基本持平。

为解决供需之间的巨大缺口，美光科技正积极推进全球产能布局，本季度已取得多项重要里程碑式进展。在 DRAM 领域，本周早些时候，我们宣布提前完成对力晶半导体铜锣厂区的收购。预计该厂区现有晶圆厂将在 2028 财年实现可观的产品出货。除现有晶圆厂外，我们计划 2026 年前在该厂区开工建设同等规模的第二座洁净室。爱达荷州的首座晶圆厂预计 2027 年年中实现首批晶圆量产，目前第二座晶圆厂的场地准备工作已启动。纽约基地的首座晶圆厂已破土动工，场地前期准备工作进展顺利，超出预期。在日本，广岛基地的洁净室扩建项目场地准备工作进展良好，该项目将为公司未来的技术节点升级提供产能支撑。

在 NAND 领域，基于市场需求预期上调，以及公司决定将研发洁净室与量产晶圆厂协同布局的战略考量，我们计划在新加坡基地开工建设一座新的 NAND 晶圆厂，预计 2028 年实现首批晶圆量产。在封装测试领域，公司在印度的新工厂已实现商业出货，这座现代化工厂将成为全球最大的单层封装测试洁净室之一。新加坡的高带宽存储器（HBM）先进封装工厂按计划推进，预计 2027 年将为美光科技的 HBM 供应提供重要支撑。预计 2026 财年，公司资本支出将超过 250 亿美元。相较于上一次财报电话会议的预估，本次资本支出上调主要源于洁净室厂房相关投入，其中铜锣厂区的收购和建设占比最大，其次是美国晶圆厂项目的建设投入增加。

预计 2027 财年，公司资本支出将大幅增加，主要用于高带宽存储器（HBM）和 DRAM 相关投资。2027 财年，公司厂房建设相关资本支出预计同比增加超 100 亿美元，主要用于全球晶圆厂建设，以满足市场长期需求。此外，2027 财年的设备采购支出预计也将同比增加。在进行这些投资的同时，我们将持续关注市场环境和客户需求，合理调整供应计划。接下来，由马克为大家介绍 2026 财年第二季度的财务业绩和业绩指引。

马克・墨菲：谢谢桑杰。各位下午好。2026 财年第二季度，美光科技取得了强劲的财务业绩，营收、毛利率和每股收益均超出业绩指引的上限。本季度，公司创造了创纪录的自由现金流，偿还了部分债务，期末净现金头寸创历史新高。2026 财年第二季度总营收 239 亿美元，环比增长 75%，同比增长 196%，连续第四个季度创历史新高，102 亿美元的环比较增幅也创公司历史纪录。第二季度 DRAM 营收 188 亿美元，创历史新高，同比增长 207%，占总营收的 79%，环比增长 74%，位出货量实现中个位数增长。

受行业供应紧张影响，叠加产品组合优化，DRAM 产品环比涨幅达 65% 左右。第二季度 NAND 营收 50 亿美元，创历史新高，同比增长 169%，占总营收的 21%，环比增长 82%，位出货量实现低个位数增长。受行业供应紧张影响，叠加产品组合优化，NAND 产品环比涨幅达 75% 以上。公司整体毛利率为 75%，环比提升 18 个百分点，增长动力主要来自产品提价，同时也得益于产品组合优化和成本管控成效。本季度毛利率较去年同期近乎翻倍，创公司历史新高。

接下来，我介绍一下各业务部的季度财务表现。云存储业务部（CMBU）营收 77 亿美元，创历史新高，占总营收的 32%，受产品提价和组合优化推动，环比增长 47%，毛利率 74%，环比提升 9 个百分点，增长动力来自产品提价和成本管控。核心数据中心业务部（CDBU）营收 57 亿美元，创历史新高，占总营收的 24%，毛利率 74%，环比提升 23 个百分点，增长动力来自产品提价和组合优化。移动 / 消费端业务部（MCBU）营收 77 亿美元，创历史新高，占总营收的 32%，受产品提价推动（部分被位出货量下滑抵消），环比增长 81%，毛利率 79%，环比提升 25 个百分点，增长动力主要来自产品提价和组合优化。

汽车与嵌入式业务部（AEBU）营收 27 亿美元，创历史新高，占总营收的 11%，受产品提价推动（部分被位出货量下滑抵消），环比增长 57%，毛利率 68%，环比提升 23 个百分点，增长动力主要来自产品提价。2026 财年第二季度运营费用 14 亿美元，环比增加 8700 万美元，主要受研发费用增加推动。本季度公司营业利润 165 亿美元，营业利润率 69%，环比提升 22 个百分点，同比提升 44 个百分点。第二季度税费 25 亿美元，有效税率 15.1%。非公认会计原则下的摊薄后每股收益为 12.20 美元，环比增长 155%，同比增长 682%。

接下来，介绍现金流和资本支出情况。2026 财年第二季度，经营活动现金流 119 亿美元，资本支出 50 亿美元，实现自由现金流 69 亿美元，创公司单季度历史新高，较 2026 财年第一季度的历史纪录增长 77%。第二季度期末库存 83 亿美元，环比增加 6200 万美元，库存周转天数 123 天，其中 DRAM 库存周转天数尤为紧张，低于 120 天。期末现金及投资总额达 167 亿美元，创历史新高；加上未使用的信贷额度，公司流动性超 200 亿美元。本季度，根据《芯片与科学法案》的相关条款，公司回购了 3.5 亿美元股票。同时，公司偿还了 16 亿美元债务，包括赎回 2029 年和 2030 年到期的优先票据，公司未偿债务的加权平均到期日为 2034 年 8 月。季度末，公司总债务 101 亿美元，净现金头寸 65 亿美元。

公司资本配置的首要优先级，是将资金再投资于业务的盈利性增长，包括研发、资本支出和其他战略投资。我们致力于维持稳健的资产负债表，过去三个季度总债务偿还额超 50 亿美元，目前净现金头寸处于历史最佳水平。正如桑杰所说，依托公司领先的技术实力和强劲的现金创造能力，董事会已批准将季度股息上调 30%，至每股 0.15 美元。

接下来，发布业绩指引。预计 2026 财年第三季度营收 335 亿美元，上下浮动 7.5 亿美元；毛利率约 81%；运营费用约 14 亿美元。基于 11.5 亿股流通股，预计第三季度每股收益 19.15 美元，上下浮动 0.40 美元。预计产品提价、成本下降和组合优化将共同推动第三季度毛利率进一步提升。正如上一季度所提及，2026 财年为 53 周财年，第四季度额外的一周将对运营费用产生一定影响。2027 财年，为把握存储领域前所未有的长期发展机遇，公司研发投入将增加，运营费用预计相应提升。预计 2026 财年第三季度及全年有效税率均约为 15.1%。

为满足客户需求，美光科技正有计划地在全球范围内进行产能投资。如前所述，公司将 2026 财年资本支出预期上调至 250 亿美元以上。2026 财年第三季度资本支出预计约 70 亿美元，同时公司将实现自由现金流和经营活动现金流的大幅增长。受洁净室产能需求驱动，预计 2026 财年和 2027 财年，公司厂房建设相关支出的增速将超过设备采购支出。本业绩指引未考虑贸易或地缘政治因素可能带来的影响。接下来，由桑杰作总结发言。

桑杰・梅赫罗特拉：谢谢马克。数十年的持续投资、创新和运营执行，让美光科技成为存储领域的技术领导者，也成为半导体行业人工智能领域最大的受益者和赋能者之一。作为美国唯一一家先进存储产品制造商，美光科技在把握未来前所未有的发展机遇方面占据独特优势。我要感谢全球全体员工的辛勤付出，是大家的出色执行造就了这个亮眼的季度。尽管本季度业绩表现优异，但我对美光科技的未来发展更加充满期待。现在进入问答环节。

主持人：谢谢。现在开始问答环节，每位提问者限提一个主问题和一个追问。第一个问题来自加拿大皇家银行资本市场的克里希・桑卡尔，请提问。

克里希・桑卡尔：公司发布的81%毛利率指引非常亮眼。我想了解，随着 HBM4 量产规模扩大，毛利率的可持续性如何？能否分析一下 8 月季度（即第四财季）及后续的毛利率走势？另外，我还有一个问题想请教桑杰。

马克・墨菲：克里希，我是马克。公司第三财季毛利率指引环比大幅提升 6 个百分点，表现强劲。目前我们暂不发布第四季度的毛利率指引，但此前已表示，2026 年以后行业供应紧张的状况将持续。因此，第四季度及以后，毛利率将持续受益于人工智能驱动的多年期投资周期，而这一周期的大部分红利仍在未来。人工智能需要更多、更高性能的存储产品，这将直接体现在毛利率上。同时，如我们此前所说，行业供应约束将持续至 2026 年以后，也将对毛利率形成支撑。

81% 的毛利率指引已考虑 HBM4 量产增长的因素，且如我所言，市场环境将持续向好。但需要注意的是，在当前的高毛利率水平下，产品提价对毛利率的边际拉动效应将有所减弱。除此之外，我们暂不披露更多第四季度毛利率相关信息。

克里希・桑卡尔：明白。接下来请教桑杰一个关于战略客户协议（SCA）的问题，恭喜公司签署首份五年期 SCA。该协议与此前的长期协议（LTA）有何本质区别？是包含多年期的出货量和定价锁定承诺，还是定价仍需每年协商？另外，若行业周期下行，协议中的解约条款是如何约定的？

桑杰・梅赫罗特拉：谢谢。感谢你对公司签署首份 SCA 的关注。正如你所说，SCA 是多年期协议，这一点我在之前的发言中也有所提及。而 LTA 通常为一年期协议。当前行业供应紧张的状况在可预见未来将持续，因此客户为了更好地规划自身业务、提升可预测性，非常愿意与我们签订这种结构性的长期战略合作协议。这类协议不仅能为客户带来稳定性，也能提升我们业务模式的可见性。

公司目前仅签署了一份 SCA，因此暂不便披露协议的具体细节，相信你能理解这类协议均具备保密性。但核心目标是，既让客户获得明确的供应承诺，便于业务规划，也让我们获得客户的明确合作承诺。协议的期限覆盖行业周期的不同阶段，无论是供应紧张期还是其他阶段，这也是签订长期协议的初衷，因此协议条款对双方均具备约束力。协议条款为美光科技和客户双方都设定了完善的权利和义务。

克里希・桑卡尔：明白，非常感谢。

主持人：下一个问题来自摩根士丹利的约瑟夫・穆尔，请提问。

约瑟夫・穆尔：想请教一下公司各终端市场的产品分配策略。显然，人工智能领域的需求最为迫切，但公司是否担心个人电脑和智能手机市场出现需求萎缩？在产品分配时，公司如何平衡大型客户和中小型客户的需求？整体的分配思路是怎样的？

桑杰・梅赫罗特拉：目前，所有终端市场的供应均极度紧张，各市场的需求趋势均保持强劲。尽管你提到的消费电子等价格敏感型市场，部分需求可能因产品提价受到一定影响，但整体需求依旧旺盛。

我们的核心战略始终是成为各终端市场的多元化供应商，这一点对公司发展至关重要。当然，数据中心正成为行业市场总规模（TAM）中越来越重要的组成部分，因此公司的供应资源会向该领域倾斜，这也是行业和公司的核心增长动力。

但个人电脑、智能手机、汽车、工业等其他市场对我们同样重要，我们希望保持各终端市场的产品组合多元化。需要强调的是，无论是数据中心还是消费电子市场（如智能手机、个人电脑），人工智能趋势都在持续推动存储搭载容量的提升。在供应紧张的大环境下，客户也在积极调整自身的产品组合策略。总体而言，我们正与各终端市场的客户保持紧密沟通与合作。

约瑟夫・穆尔：好的，谢谢。我记得公司此前曾表示，部分客户的需求满足率约为 70%，目前这一比例是否有所变化？不同客户的需求满足率是否存在差异，与三个月前相比有何变化？

桑杰・梅赫罗特拉：我们在上一次财报电话会议中曾表示，在中期内，对于部分核心客户，我们仅能满足其 50%至三分之二的产品需求，目前这一状况仍未改变。

约瑟夫・穆尔：好的，谢谢。本季度业绩表现亮眼，感谢分享。

主持人：下一个问题来自蒂莫西·迈克尔・阿库里，请提问。

迈克尔・阿库里：谢谢。桑杰，我也想请教战略客户协议（SCA）的相关问题。我们都在思考行业周期下行后的市场格局，希望这类协议能为公司毛利率设置下行保护机制。我知道你不便披露过多细节，但能否透露，协议中是否设置了相关机制，在行业周期下行时限制公司毛利率的下滑幅度？

桑杰・梅赫罗特拉：出于协议保密性，我们暂不便披露 SCA 的具体条款。目前公司仅签署了一份 SCA，同时正与多家客户洽谈相关合作。待后续签署更多协议后，我们将根据实际情况披露更多细节。我想强调的是，SCA 是多年期协议，包含双方的明确承诺，条款完善，核心目标是提升公司业务模式的可见性和稳定性。除此之外，目前暂不便透露更多细节。

蒂莫西・迈克尔・阿库里：好的，谢谢。马克，我还有一个关于现金流的问题。本财年公司自由现金流预计将达到 350-400 亿美元，到 2026 年底，公司现金储备或超 500 亿美元。公司计划如何运用这些资金？是否会预留部分资金，在行业周期下行时回购股票？另外，受《芯片与科学法案》相关条款限制，公司股票回购存在一定约束，是否有计划推动条款调整？谢谢。

马克・墨菲：蒂莫西，公司业务的出色表现和资产负债表的持续优化让我们倍感振奋。第二季度，公司净现金头寸和自由现金流均创历史新高，自由现金流较上一个历史纪录增长 77%。从我们发布的第三季度业绩指引来看，结合资本支出预期，公司自由现金流有望实现环比近乎翻倍。我们将持续夯实资产负债表，进一步提升净现金头寸，同时继续偿还债务。值得一提的是，本季度公司获得了两次信用评级上调，目前已拥有稳定的 BBB 信用评级。

公司的财务状况正持续向好，同时如你所见，我们计划增加资本支出和研发投入。关于你提到的资本配置优先级问题，资产负债表的稳健性始终是第一优先级，其次是业务的有机投资，包括技术升级和高价值位产能建设，这也是当前市场的核心需求。目前，公司的资本回报率已超 30%，并有望进一步提升至 50%，但我们仍将保持投资的审慎性。正如今天所宣布的，公司将季度股息上调 30%，这体现了我们对业务前景的信心、对业务稳定性的判断，以及对未来现金分红的规划。

另外，如你所说，公司未来将有充足的资金用于股票回购，以回报股东，包括对冲股权激励带来的股本稀释，以及把握市场机会进行择机回购。

蒂莫西・迈克尔・阿库里：谢谢马克。

主持人：下一个问题来自坎托・菲茨杰拉德的克里斯托弗・詹姆斯・缪斯，请提问。

克里斯托弗・詹姆斯・缪斯：各位下午好，谢谢解答。我也想追问一下战略客户协议（SCA）的问题。公司的客户协议经历了从 LTA、有约束力的 LTA 到如今 SCA 的演进，我想了解目前洽谈 SCA 的客户范围如何？是否仅包括超大规模云厂商，还是也有其他类型客户？我知道你不便披露协议具体条款，结合上一个问题，想请教协议中是否包含与公司资本支出相关的前置要求？定价是否与这些投资的资本回报率（ROIC）挂钩？麻烦解答，谢谢。

桑杰・梅赫罗特拉：我们此前已透露，首份 SCA 的合作方为大型客户。这类协议的核心目标是，让我们能更有信心地规划未来的供应产能投资，同时通过明确的条款提升未来需求的可见性，正如我之前所说，也能增强公司业务模式的稳定性。除此之外，我们暂不披露更多 SCA 相关信息，仅能说明目前正与多家客户洽谈合作，且洽谈范围覆盖多个市场板块。

克里斯托弗・詹姆斯・缪斯：非常感谢。再请教一个关于 HBM 的问题，公司上一季度曾发布 HBM 市场年复合增长率 40% 的指引，据此推算 2026 年市场规模约 500 亿美元，目前这一预期是否有变化？此外，考虑到当前非 HBM 产品的毛利率更高，是否有行业玩家计划将存储产能从 HBM 转向 DDR5？谢谢。

桑杰・梅赫罗特拉：没错，目前非 HBM 产品的毛利率确实高于 HBM，但 HBM 的需求依旧保持强劲。我们暂未调整此前发布的 HBM 市场总规模（TAM）预期。数据中心领域，DDR5、低功耗存储器（LP）和 HBM 的需求均持续旺盛。随着数据中心人工智能需求的增长，我们将持续优化产品组合策略。如前所述，除数据中心外，我们也将持续聚焦其他核心市场，确保在各市场的相关市场份额。

当前，从数据中心到边缘端的人工智能需求趋势均保持强劲，我们将持续优化产品组合，美光科技的全产品线在数据中心领域均具备强劲的增长潜力。需要强调的是，我们的产品组合涵盖 HBM、LP、SoC-M、DDR5 以及数据中心固态硬盘，过去几年，公司数据中心固态硬盘的市场份额实现了大幅提升。

主持人：下一个问题来自摩根大通的哈兰・L・苏尔，请提问。

哈兰・L・苏尔：各位下午好，恭喜公司取得亮眼的业绩和出色的季度运营表现。桑杰，接你刚才关于固态硬盘（SSD）的话题，2025 年 11 月，我曾预估公司企业级固态硬盘业务营收占闪存业务总营收的近 50%，当时该业务营收环比增长 60%，产品组合的优化为公司带来了显著的毛利率提升，美光团队的表现非常出色。如你所说，公司目前已跻身全球企业级固态硬盘供应商前三。在这一亮眼的业绩基础上，2026 年 2 月公司企业级固态硬盘业务营收环比翻倍，目前仍占 NAND 闪存业务的 50%。

展望未来，随着第九代（G9）NAND 闪存节点的持续量产，公司基于该节点的下一代企业级固态硬盘已实现全品类覆盖，包括性能优化型、容量优化型和主流型产品，这是否为公司企业级固态硬盘业务在 2026 年剩余时间及 2027 年的环比增长提供了充足动力？另外，想请教公司对新兴的高带宽闪存（HBF）存储层级的看法，美光团队是否计划投入研发资源布局该领域？

桑杰・梅赫罗特拉：关于数据中心固态硬盘的问题，该领域未来增长潜力强劲。目前 NAND 闪存供应持续紧张，需求保持旺盛，数据中心固态硬盘是 NAND 闪存增长的核心驱动力。依托覆盖性能、容量全需求的产品组合，以及针对不同客户的三级单元（TLC）和四级单元（QLC）产品布局，美光科技在该领域占据有利地位。

作为公司的核心战略，我们将持续推动营收组合向行业高利润池和高价值市场倾斜，因此也将持续把握数据中心固态硬盘业务的增长机遇。我们对该业务的过往发展轨迹和未来增长规划均充满信心。关于你提到的高带宽闪存（HBF），该产品具备容量大等优势，但也存在 NAND 闪存固有的短板，如写入速度慢、功耗较高、数据留存性有限。

因此，该产品可能适用于部分特定工作负载，但目前市场仍处于早期阶段，需要与客户深入沟通，充分验证其商业价值。我们当然会持续关注并研究该领域的发展。

哈兰・L・苏尔：感谢解答。再请教一个问题，多年期战略客户协议（SCA）的签订，是否也源于公司与图形处理器（GPU）/ 异构计算处理器（XPU）芯片客户的合作需求升级？尤其是下一代 HBM 架构的定制化开发，涉及基底芯片的设计，而基底芯片的设计周期通常为 12-18 个月，需要双方共享知识产权（IP），并根据公司的制造工艺优化基底芯片设计，这是否意味着客户需要在 GPU 和 XPU 设计的更早阶段与公司开展合作，也因此成为推动多年期 SCA 签订的另一重要因素？

桑杰・梅赫罗特拉：再次说明，我们暂不便披露协议的具体细节和合作客户类型。但可以明确的是，SCA 确实深化了我们与客户的合作伙伴关系，这种合作不仅限于产品供应，还延伸至研发协同和产品路线图的联合规划，这也是 SCA 的重要价值之一。

哈兰・L・苏尔：好的，谢谢。

主持人：下一个问题来自巴克莱银行的托马斯・詹姆斯・奥马利，请提问。

托马斯・詹姆斯・奥马利：各位好，谢谢解答，本季度业绩表现非常亮眼。在本次 GPU 技术大会（GTC）和开放计算项目峰会（OCP）上，低功耗处理器（LPU）架构和静态随机存取存储器（SRAM）的应用扩大成为热议话题。想请教公司对存储市场长期发展的看法，随着更多工作负载开始采用 HBM 以外的其他存储类型，行业格局将发生怎样的变化？另外，一个更宏观的问题，目前公司的大量需求来自数据中心领域的多年期协议，且主要集中在少数具备人工智能硬件采购和建设能力的客户，公司在新增产能时如何进行需求测算？公司是否有内部的加速器需求预测模型？是否会与客户逐一沟通，构建自下而上的需求预测体系，以确保未来 3-5 年的产能供应匹配行业需求，避免出现产能过剩？非常感谢。

桑杰・梅赫罗特拉：首先，关于你提到的 SRAM 和 LPU 架构，我想说明的是，这类架构能提升人工智能基础设施的运行效率，任何有助于提升人工智能基础设施效率的技术，都将推动人工智能行业的发展，加速市场规模的扩张。需要注意的是，LPU 架构需与英伟达维拉・鲁宾芯片协同使用，而该芯片本身需要搭载海量的 HBM 和 DRAM。英伟达发布的 Grok LPX 模型，基于 LPU 架构，单机架就搭载了 12TB 的 DRAM。

这些技术均是为了更高效地处理工作负载，优化TOKEN经济、提升TOKEN处理速度、推动人工智能推理的规模化应用，并降低功耗。所有这些技术进步，都将进一步推动人工智能需求的增长和落地。我们认为，这类技术与现有的 HBM 和 DRAM 技术形成互补，将共同推动行业市场总规模（TAM）的增长，加速人工智能的普及。需要强调的是，目前企业端的人工智能落地率仍处于极低水平，在各行业、各经济体中，人工智能均拥有巨大的发展空间。

我们对公司全产品线（HBM、LP、DRAM、SoC-M、SSD）在满足未来市场需求方面的机遇充满信心。归根结底，这些趋势都印证了存储在人工智能领域的核心战略价值 —— 没有更多、更快的存储产品，人工智能的规模化发展就无从谈起，无论是模型训练还是推理，都无法实现高性能运行。

从去年到今年，先进人工智能加速器的 DRAM 搭载需求已翻倍，这也是导致行业供应短缺的重要因素之一。而这一趋势不仅适用于数据中心，也延伸至边缘设备、智能手机和个人电脑。我们对未来的发展机遇充满期待，也坚信公司的全产品线将持续迎来强劲的增长需求。

主持人：下一个问题来自美国银行证券的维韦克・阿里亚，请提问。

维韦克・阿里亚：谢谢解答。桑杰，想请教公司的 HBM 市场份额目标，是否有望直接达到 20%-25%？还是需要逐步提升？从整体来看，在英伟达维拉・鲁宾芯片的配套 HBM 市场，公司计划如何提升市场份额？

桑杰・梅赫罗特拉：我们此前曾透露，2025 年第三季度，公司已提前实现 2026（口误，此为2025） 年的 HBM 市场份额目标，即 HBM 市场份额与 DRAM 整体市场份额持平。同时我们也表示，未来将把 HBM 纳入公司整体产品组合进行管理，不再单独披露季度市场份额。我能告诉你的是，公司对 HBM 产品的市场定位充满信心，对产品整体竞争力也高度认可。

2026 年，HBM3E 和 HBM4 均将成为市场主流产品，公司将同步供应这两类产品，对公司在该市场的整体布局和产品组合管理能力充满信心。

维韦克・阿里亚：谢谢。马克，我想再追问一下 81% 的毛利率指引。我理解你暂不发布后续的具体指引，但回顾公司历史，此前毛利率的峰值在 60% 出头，当前的市场环境与此前有何不同？从历史经验来看，如何判断未来几个季度毛利率的走势？当客户看到存储产品的毛利率处于如此高位时，作为人工智能芯片的核心原材料供应商，公司认为客户会作何反应？谢谢。

桑杰・梅赫罗特拉：在马克解答之前，我先纠正一个口误。我此前误将 2025 年说成 2026 年，正确的表述是：公司原本计划 2025 年实现 HBM 市场份额与 DRAM 整体市场份额持平的目标，并已于 2025 年第三季度提前实现。此外，2025 年第三季度后，我们便不再单独披露 HBM 的市场份额占比。特此纠正。

马克・墨菲：维韦克，需要强调的是，当前行业处于供应短缺状态，且这种状况将持续至 2026 年以后，这为短期和中期的产品定价提供了坚实支撑。我们此前已介绍，公司正与客户密切合作，通过合理的产品分配、产能扩张、供应保障和新产品研发等方式，满足客户需求。你提到的毛利率回归历史均值的问题，需要结合当前的市场环境重新分析。

当前，人工智能是驱动行业发展的变革性长期因素，正如桑杰所说，人工智能需要更多、更高性能的存储产品，而这些存储产品也是降低人工智能TOKEN成本、减少单位TOKEN能耗、提升TOKEN处理量的核心支撑。存储产品让人工智能更智能，进而推动更复杂的应用场景和智能体应用的落地，这又将带来更多的TOKEN处理需求，进一步推动存储需求增长。毛利率的高企，反映了存储产品在人工智能时代的价值大幅提升，也是存储产品商业化人工智能的高效方式，这一趋势从数据中心延伸至边缘端。

此外，我们一年多前就曾指出，行业存在多方面的供应约束，且这些约束需要长期时间才能缓解，包括库存水平偏低、制程节点升级带来的晶圆单位位产出增长放缓、HBM 贸易比提升，以及新产能均需从零开始建设的物理约束，而厂房建设本身需要较长周期。

以上两大因素均具备长期性：一是存储产品的价值提升，二是行业供应的结构性约束。公司正从这两方面着手解决问题，一方面加大产能投资，另一方面增加研发投入，持续推进技术升级，进一步提升存储产品的价值。我们相信，这些举措将为毛利率的长期稳定提供支撑。我们认为，客户也已认识到这一市场现状，因此才会与公司签订长期合作协议。

主持人：本次电话会议到此结束，感谢各位参与，现在可以挂断电话。