财联社3月18日讯（编辑 胡家荣）港股存储概念股再度成为市场焦点。截至发稿，澜起科技(06809.HK)涨7.09%、兆易创新(03986.HK)涨7.08%。

与此同时，追踪韩国存储行业龙头的杠杆型ETF也大幅走高，南方两倍做多三星电子(07747.HK)与南方两倍做多海力士(07709.HK)均涨超8%，以上的表现反映出投资者对存储赛道的乐观情绪。

AI驱动需求爆发，三星电子产能排期已满

当前，存储芯片行业正式步入“黄金周期”。作为全球存储领域的领军企业，三星电子正充分受益于由人工智能芯片引发的旺盛需求。

根据KB Securities分析师Jeff Kim发布的最新投资报告，随着AI芯片制造商对存储组件需求的持续攀升，三星电子有望在本期实现全方位的收益增长。Kim预测，DRAM和NAND闪存市场在未来数年内将维持供给紧张态势。他特别指出，三星电子目前的订单已排满至2027年，全部预计产量已售罄。

面对供不应求的局面，下游客户为确保供应链安全，纷纷寻求签署长期采购协议，部分企业甚至提出签订直至2030年的五年长约。然而，三星电子在策略上更倾向于签订周期较短的合约。此举旨在保留定价灵活性，以便在芯片价格持续上涨的市场环境中，通过短期续约锁定更高利润，从而在长期保供与高价策略之间寻求最佳平衡点。

晶圆缺口超20% 短缺状况或持续至2030年

针对全球内存芯片的供应前景，韩国SK集团会长崔泰源给出了更为长期的预警。他在英伟达GTC大会期间透露，受半导体生产长期结构性限制的影响，全球内存芯片短缺状况可能将持续4至5年。

崔泰源指出，尽管SK海力士等行业头部企业正在积极扩产，但受制于基础晶圆供应量的严重不足，全行业产能预计到2030年左右才能完全满足市场需求。数据显示，当前用于制造芯片的基础晶圆供应量较需求量存在超过20%的缺口。这一结构性短缺不仅开始冲击企业利润、打乱各大厂商的发展规划，更直接推高了从笔记本电脑、智能手机到汽车、数据中心等各类终端产品的价格。

市场普遍共识认为，在供需关系实质性好转之前，短缺状况还将进一步加剧。对此，SK海力士方面表示正准备公布稳定价格的相关措施，但尚未披露具体细节。

机构观点：估值修复空间巨大，HBM与DRAM价格齐飞

摩根士丹利在2026年1月的报告中指出，将SK海力士的目标价从73万韩元上调至84万韩元，维持“增持”评级。

他们还指出，DRAM、NAND以及高带宽内存(HBM)的价格上涨幅度将超预期。特别是HBM作为AI算力的核心瓶颈，其价值尚未在股价中充分体现。

瑞银在近期报告中明确表示，“DRAM供应商显然掌握了上风”。基于强劲的价格前景，瑞银上调了三星电子和SK海力士2026年及2027年的营收和盈利预测。其调查显示，DDR内存合同价格谈判正以积极势头进行，预计环比涨幅将达到21%或更高。

澜起科技和兆易创新均涨超7%

对于澜起科技和兆易创新的走强，有分析认为这是全球估值体系重塑的必然结果：

影子股效应：澜起科技和兆易创新与韩国巨头处于同一产业链环节。当全球龙头的估值因“缺货+涨价”逻辑被大幅重估时，港股标的作为“影子股”或“对标股”，必然受到资金的追捧，进行补涨和估值修复。

技术壁垒兑现：随着DDR5渗透率提升和AI服务器放量，澜起科技的接口芯片需求激增；而主存储的产能挤出效应，则利好兆易创新所在的利基型存储市场，推动其产品量价齐升。