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08:40:38【三星或采用2nm工艺开发HBM5】
《科创板日报》18日讯,三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存(HBM5),其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E,该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D(第七代10纳米级)工艺的DRAM。 (Businesskorea)
半导体芯片 HBM 存储芯片
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2026-03-18 08:40:38 1507331 阅读
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