三星或采用2nm工艺开发HBM5

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08:40 三星或采用2nm工艺开发HBM5

《科创板日报》18日讯，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。 (Businesskorea)

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