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【电报解读】三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品，需求端全面爆发推动碳化硅行业规模快速扩张，这家公司相关产品市占率稳居全球前三
2026-03-16 14:43
【三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品】《科创板日报》16日讯，三星电子计划于今年第三季度量产SiC（碳化硅）功率半导体样品，该公司近期已订购原材料和组件。据悉，三星电子将量产的首款样品是一款平面SiC MOSFET。MOSFET是一种用于开关和放大电子信号的晶体管。 (ZDnet)
三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品，需求端全面爆发推动碳化硅行业规模快速扩张，这家公司相关产品市占率稳居全球前三，另一家碳化硅业务实现8英寸工艺升级。
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