三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品

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14:09 三星电子计划第三季度量产SiC功率半导体样品

《科创板日报》16日讯，三星电子计划于今年第三季度量产SiC（碳化硅）功率半导体样品，该公司近期已订购原材料和组件。据悉，三星电子将量产的首款样品是一款平面SiC MOSFET。MOSFET是一种用于开关和放大电子信号的晶体管。 (ZDnet)

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