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07:05:37【三星据悉与英伟达合作加速研发下一代NAND闪存】
财联社3月13日电,据媒体援引未具名业内人士的话报道,三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子”模型,能以比现有模型快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能,并公布了研究成果。基于相关研究成果,三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。
环球市场情报 TMT行业观察 半导体芯片
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2026-03-13 07:05:37 1630654 阅读
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