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15:02 三星电子拟增大DRAM尺寸以提升HBM4性能
《科创板日报》27日讯，三星电子正集中精力提高1c DRAM的良率，同时抢占HBM4市场份额。具体而言，三星电子决定增大其第六代10nm级DRAM芯片的尺寸，从而同时提升DRAM和HBM4的稳定性。 (ZDNet)
半导体芯片 HBM 存储芯片
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