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【电报解读】SK海力士与闪迪启动下一代存储器HBF全球标准化进程,这家公司产品可用于HBF的制造工艺当中
【SK海力士与闪迪公司启动下一代存储器“HBF”全球标准化进程】财联社2月26日电,SK海力士2月26日宣布,于当地时间25日在美国加利福尼亚州米尔皮塔斯的闪迪公司(SanDisk)总部,与闪迪公司联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”,正式发布面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF(High Bandwidth Flash)的全球标准化战略。

一、HBF可满足AI推理场景对容量扩展性与能效的双重需求

HBF存储,全称‌高带宽闪存‌(High Bandwidth Flash),是一种专为人工智能(AI)推理等场景设计的新型非易失性存储架构。它旨在弥补当前主流的高带宽内存(HBM)在容量和成本上的局限性,为AI系统提供“大容量、高带宽、低成本”的存储解决方案。HBF通过将多层‌NAND闪存芯片‌(而非HBM使用的DRAM芯片)进行垂直堆叠,并采用硅通孔(TSV)和芯片到晶圆键合等先进封装技术,构建出高密度存储结构。

HBF作为介于HBM和固态硬盘之间的新型存储阶层,旨在弥合HBM高性能与固态硬盘大容量特性之间的差距,并满足AI推理场景对容量扩展性与能效的双重需求。在传统架构中,HBM负责提供最高带宽,而HBF则负责与其深度协同。HBF不仅可提升AI系统的扩展能力,还能有效降低总体拥有成本(TCO)。

被称作“HBM之父”的韩国科学技术院教授金正浩认为,随着人工智能的思考和推理能力变得重要,从文本向语音界面的转变,所需的数据量将不可避免地急剧增加。金正浩预测,由于HBM本身无法应对急剧增加的需求,行业将不可避免地采用HBF。虽然当前结构涉及垂直连接多达2个图形处理单元(GPU)并在GPU旁边附加HBM以处理操作,但未来可以通过同时附加HBM和HBF来消除容量限制。当CPU、GPU和内存有机地结合在单个基本芯片上的MCC(内存中心计算)架构完成时,所需的HBF容量将进一步增加,并且从2038年起,HBF的需求将超过HBM。

二、相关上市公司:飞凯材料

飞凯材料:1月26日在互动平台表示,公司始终关注并跟进包括HBF在内的先进封装技术发展趋势。公司在半导体先进封装领域稳定量产的功能型湿电子化学品、锡球和EMC环氧塑封料均可应用于HBF的制造工艺当中。此外,HBF封装制程涉及晶圆减薄、堆叠和封装等工艺,公司开发的临时键合材料与LMC液体封装材料及GMC颗粒封装料可以适配该工艺条件,目前正处于验证导入阶段,尚未形成规模化营收。公司正与相关厂商密切合作开发与调试相关材料,共同提升HBF制程工艺成熟度与可靠性。

相关个股:
飞凯材料-1.74%
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